Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics

硅纳米电子技术的发展

• 批准号: 18063013
• 负责人: ZAIMA Shigeaki
• 金额: $ 32.51万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063013/
• 关键词: シリコンULSI; MOSFET; スケーリング則; ポストスケーリング技術; 電子デバイス; 半導体超微細化; デバイス設計・製造プロセス・超薄膜; ナノ材料; ナノCMOS; ナノデバイスインテグリティ; 特性ばらつき; デバイス設計・製造プロセス; 超薄膜

現代の情報・通信技術の中核をなすシリコンULSIにおいては、基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上技術に限界が見えはじめ、デバイスにおける材料物性的限界、種々な揺らぎによる精度・性能限界、集積度増加による発熱量・消費電力の限界等の顕在化により、デバイスのインテグレーションや高性能化が困難になりつつある。この問題に対して本特定領域研究ではMOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』として新しい指導原理を導入することを目的として平成18年度に発足した。そこで、本研究課題(終了領域研究)ではこの4年間に得られた多くの成果を広く社会に還元することを目的として、下記の国際シンポジウムの主催と欧文雑誌での公表、また、研究成果の取りまとめを行った。・シンポジウム名称:International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)・会場:東京工業大学・蔵前会館・日程:2010年6月3日～5日・招待講演者:海外4件、国内5件・参加者数:132名

The core of modern information and communication technology is ULSI, and the performance of elemental MOSFET is improved. The technical limit of material properties, the accuracy of species, the performance limit, the concentration increase, the generation of heat, the limit of consumption power, etc. are difficult to improve. This problem is related to the introduction of MOSFET performance limits, MOSFET technology and new guiding principles. This research topic (final field research) has achieved many results in the past four years. The purpose of this research is to record the main achievements of this research project. Name: International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)·Venue: Tokyo Institute of Technology·Somae Hall·Schedule: June 3 - 5, 2010·Guest speakers: 4 overseas, 5 domestic·Number of participants: 132

项目成果

科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」について

关于“硅纳米电子学新进展”特定领域科学研究资助

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Nishihara;K. Makihara;Y. Kawaguchi;M. Bceda;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki;K.Makihara;財満鎭明;財満鎭明;K.Makihara;S. Zaima;K.Makihara;S. Zaima;S.Miyazaki;財満鎭明;財満鎭明;S.Miyazaki;財満鎭明;K.Makihara;S.Zaima;S.Miyazaki;財満鎭明;J.Nishitani;財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

RF Passive Components Using Metal Line on Si CMOS

在 Si CMOS 上使用金属线的射频无源元件

• 发表时间: 2006
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics Vol.E89-C No.6
• 作者: Kazuya Masu;Kenichi Okada;Hiroyuki Ito
• 通讯作者: Hiroyuki Ito

・財満鎭明、"ULSIにおけるプロセスと材料"、日刊工業新聞、2009年7月17日

・新明财万《ULSI 的工艺与材料》日刊工业新闻 2009 年 7 月 17 日

Carrier-Transport-Enhanced Channel CMOS for Improved Power Consumption and Performance

• DOI: 10.1109/ted.2007.911034
• 发表时间: 2008
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices
• 影响因子: 3.1
• 作者: S. Takagi;T. Iisawa;T. Tezuka;T. Numata;S. Nakaharai;N. Hirashita;Y. Moriyama;K. Usuda;E. Toyoda-E

Threshold-Voltage Control of AC-Performance-Degradation-Free FD SOI MOSFET with Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme

使用可变体系数方案对具有极薄盒的交流性能无退化 FD SOI MOSFET 进行阈值电压控制

• 发表时间: 2007
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices No.54 Vol.2
• 作者: Tetsu Ohtou;Kouki Yokoyama;Ken Shimizu;Toshiharu Nagumo;Toshiro Hiramoto
• 通讯作者: Toshiro Hiramoto