硅纳米电子技术的发展-猫眼课题宝

硅纳米电子技术的发展

批准号：

18063013

负责人：

ZAIMA Shigeaki

金额：

$32.51万

依托单位：

Nagoya University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

财政年份：

2006

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2006 至 2010

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063013/

关键词：

シリコンULSI MOSFET スケーリング則ポストスケーリング技術電子デバイス半導体超微細化デバイス設計・製造プロセス・超薄膜ナノ材料ナノCMOS ナノデバイスインテグリティ特性ばらつきデバイス設計・製造プロセス超薄膜

项目摘要

项目成果

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現代の情報・通信技術の中核をなすシリコンULSIにおいては、基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上技術に限界が見えはじめ、デバイスにおける材料物性的限界、種々な揺らぎによる精度・性能限界、集積度増加による発熱量・消費電力の限界等の顕在化により、デバイスのインテグレーションや高性能化が困難になりつつある。この問題に対して本特定領域研究ではMOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』として新しい指導原理を導入することを目的として平成18年度に発足した。そこで、本研究課題(終了領域研究)ではこの4年間に得られた多くの成果を広く社会に還元することを目的として、下記の国際シンポジウムの主催と欧文雑誌での公表、また、研究成果の取りまとめを行った。・シンポジウム名称:International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)・会場:東京工業大学・蔵前会館・日程:2010年6月3日～5日・招待講演者:海外4件、国内5件・参加者数:132名

期刊论文(33)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」について

关于“硅纳米电子学新进展”特定领域科学研究资助

DOI： --

发表时间： 2008

期刊：

影响因子： --

作者：

[R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Bceda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, K.Makihara, 財満鎭明, 財満鎭明, K.Makihara, S. Zaima, K.Makihara, S. Zaima, S.Miyazaki, 財満鎭明, 財満鎭明, S.Miyazaki, 財満鎭明, K.Makihara, S.Zaima, S.Miyazaki, 財満鎭明, J.Nishitani, 財満鎭明]

通讯作者：財満鎭明

RF Passive Components Using Metal Line on Si CMOS

在 Si CMOS 上使用金属线的射频无源元件

DOI： --

发表时间： 2006

期刊：

IEICE Transactions on Electronics Vol.E89-C No.6

影响因子： --

作者：

[Kazuya Masu, Kenichi Okada, Hiroyuki Ito]

通讯作者： Hiroyuki Ito

・財満鎭明、"ULSIにおけるプロセスと材料"、日刊工業新聞、2009年7月17日