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Construction of High-k Gate/Strain-engineered Germanium channel Structures with Functional Nano-system

利用功能纳米系统构建高 k 栅极/应变工程锗沟道结构

基本信息

批准号：
18063012
负责人：
ZAIMA Shigeaki
金额：
$ 124.74万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

We have investigated "high mobility tensile-strained Ge channel", "high dielectric and low leakage gate insulators/Ge stack", "Ge nitridation", and "metal alloy gate electrodes with work function controllability and high uniformity" for realization of novel group-IV semiconductors MOSFETs in the post-scaling generation. We have achieved finding new materials, establishing elemental technology, and developing integration technology of each material.

我们研究了“高迁移率拉伸应变Ge沟道”、“高介电和低漏栅绝缘体/Ge堆”、“Ge氮化”和“功函数可控性和高均匀性的金属合金栅电极”，以实现新型iv族半导体mosfet的后尺度一代。我们已经实现了寻找新材料，建立基本技术，开发各种材料的集成技术。

项目成果

期刊论文数量（82）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures (Invited)

Ge/Si 和 Ge1-xSnx/Ge/Si 异质结构的缺陷控制（特邀）

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Sakai;S. Takeuchi;O. Nakatsuka;M. Ogawa;and S. Zaima
通讯作者：
and S. Zaima

First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO2 interfaces

第一性原理研究以获得 Ge/GeO2 界面低界面缺陷密度的证据

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Appl. Phys. Lett. 95(1)011908
影响因子：
0
作者：
S.Saito;T.Hosoi;H.Watanabe;T.Ono
通讯作者：
T.Ono

Low temperature growth of Ge1 ― xSnx buffer layers for tensile―strained Ge layers

DOI：
10.1016/j.tsf.2009.10.044
发表时间：
2010
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
通讯作者：
Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima

Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy: Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth

DOI：
10.1143/apex.2.066502
发表时间：
2009-05
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
T. Hashimoto;C. Yoshimoto;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
通讯作者：
T. Hashimoto;C. Yoshimoto;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe

Microstructures in directly bonded Sisubstrates

直接键合硅衬底的微观结构

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Solid-State Electronics 53
影响因子：
0
作者：
Y. Ohara;T. Ueda;A. Sakai;O. Nakatsuka;M. Ogawa;S. Zaima;E. Toyoda;H. Isogai;T. Senda;K. Izunome;H. Tajiri;O. Sakata;S. Kimura;T. Sakata;H. Mori
通讯作者：
H. Mori