利用功能纳米系统构建高 k 栅极/应变工程锗沟道结构-猫眼课题宝

利用功能纳米系统构建高 k 栅极/应变工程锗沟道结构

批准号：

18063012

负责人：

ZAIMA Shigeaki

金额：

$124.74万

依托单位：

Nagoya University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

财政年份：

2006

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2006 至 2009

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063012/

关键词：

半導体超微細化デバイス設計・製造プロセスナノ材料半導体物性表面・界面物性ポストスケーリングゲートスタック構造歪ゲルマニウム

中文摘要

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英文摘要

We have investigated "high mobility tensile-strained Ge channel", "high dielectric and low leakage gate insulators/Ge stack", "Ge nitridation", and "metal alloy gate electrodes with work function controllability and high uniformity" for realization of novel group-IV semiconductors MOSFETs in the post-scaling generation. We have achieved finding new materials, establishing elemental technology, and developing integration technology of each material.

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会议论文

Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures (Invited)

Ge/Si 和 Ge1-xSnx/Ge/Si 异质结构的缺陷控制（特邀）

DOI： --

发表时间： 2007

期刊：

影响因子： --

作者：

[A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima]

通讯作者： and S. Zaima

First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO2 interfaces

第一性原理研究以获得 Ge/GeO2 界面低界面缺陷密度的证据

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

Appl. Phys. Lett. 95(1)011908

影响因子： --

作者：

[S.Saito, T.Hosoi, H.Watanabe, T.Ono]

通讯作者： T.Ono

Low temperature growth of Ge1 ― xSnx buffer layers for tensile―strained Ge layers

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.044

发表时间： 2010

期刊：

Thin Solid Films

影响因子： 2.1

作者：

[Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima]

通讯作者： Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima

Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy: Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth

DOI： 10.1143/apex.2.066502

发表时间： 2009-05

期刊：

Applied Physics Express

影响因子： 2.3

作者：

[T. Hashimoto;C. Yoshimoto;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe]

通讯作者： T. Hashimoto;C. Yoshimoto;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe

Microstructures in directly bonded Sisubstrates

直接键合硅衬底的微观结构

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

Solid-State Electronics 53

影响因子： --

作者：

[Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori]

通讯作者： H. Mori