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選択成長法による反りのない高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の作製

选择性生长法制备高质量无翘曲异质外延金刚石基片

基本信息

批准号：
17K06800
负责人：
児玉英之
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Aoyama Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

核発生領域を任意のパターンに制限して連続膜を形成する選択成長法はヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化に有効である．本研究ではヘテロエピタキシャルダイヤモンドの反りと配向性に着目し，反りがなく配向性の高いダイヤモンドの作製が可能となる核発生領域パターンを提案した．これまでに最も配向性の高いダイヤモンドが成長可能な格子パターンからクロスポイントを除去した新規パターンにおいて，パターンのピッチおよび核発生領域長さを変化させ，厚さ100 μm程度まで成長させたダイヤモンド自立板の反りと配向性を評価した．格子状パターンにおいてピッチを100 μmまで広げたところ，ピッチを大きくするにしたがってダイヤモンド自立板の反りが小さくなる傾向が見られたが凸側の反りがなくなることはなかった．また，配向性の指標となるX線回折におけるダイヤモンド(004) ω-rocking curve (XRC) の半値幅はピッチが大きくなるにしたがって小さくなる傾向が見られ，配向性が向上することがわかった．一方，新規のパターンではピッチ100 μmにおいて核発生領域長さを75 μmとすることで反りがほとんどなくなり，50 μmでは反りが凹側に変化した．つまり，核発生領域長さを75 μmよりやや短くすることで反りのない自立板を作製可能であることが予想される．また，XRC半値幅は核発生領域長さ50，75 μmにおいて格子パターンとほとんど変わらず，高い配向性を有していることがわかった．これらの結果から，配向性が高く，反りのないヘテロエピタキシャルダイヤモンドを実現するためのパターンを提案することができた．

The selective growth method for the formation of a continuous film in the field of nuclear development is to improve the quality of the film. In this study, we propose a new method for the preparation of anti-alignment compounds in the field of nuclear evolution. This is the highest possible degree of alignment for the growth of the substrate. The highest possible degree of alignment for the growth of the substrate is the highest possible degree of alignment for the growth of the substrate. The highest possible degree of alignment for the growth of the substrate is the highest possible degree of alignment for the growth of the substrate. The shape of the grid is 100 μm, the height is 1 The half-amplitude of the X-rockingcurve (XRC) tends to be larger than that of the X-rockingcurve (XRC), and the orientation tends to be upward. On the other hand, the new regulation has a diameter of 100 μm and a diameter of 75 μ m. The length of the nuclear growth field is 75 μm. The length of the nuclear growth field is 75 μm. The length of the nuclear growth field is 75 μ m. XRC half-amplitude nuclear growth domain length: 50, 75 μm, high middle alignment: 50, 75 μm, high middle alignment: 50, 75 μ m. The result is that the alignment is high, and the alignment is high.