メゾスコピック半導体微小回路における電子波の干渉効果の研究

电子波在介观半导体微电路中的干涉效应研究

基本信息

  • 批准号:
    02251101
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

MBE法で作製したGaAs/AlGaAsシングルヘテロ接合基板を電子ビ-ム露光リソグラフィ、イオンビ-ムエッチング等により加工して、準弾道的伝導域に属する長さ約2μmの細線を作った。そして、これらの細線の低温磁気抵抗等を測定し、SdH振動の振幅解析を行った結果、高磁場と低磁場での2種の緩和時間〓chと〓slの存在が確認された。この2つの〓sは磁場がない時の電気伝導から求まる緩和時間〓tに比べて1ケタから2ケタ小さく,不純物からスペ-サ-層によって隔てられている伝導層をもつGaAs系半導体の特徴がみられ、かつ理論計算とも一致している。また同時に線幅の異なるいくつかの細線を用意して振幅解析からの〓shと〓slがクロスオ-バ-する磁場B^+_cの実効伝導幅(We)依存性についても調べた。このWeは0.2〜0.8μmの範囲にわたっておりその決定は空〜層の検討により行った。この^+_cでのサイクロトロン半径をr_cとすると、We=Ar_cなる比例関係がWeとの間に存在することがわかった。つまりAが6になる磁場B^+_cでその伝導になんらかの変化が起っていることが予想される。現在我々のグル-プではこの変化は細線中の電子波が側壁に沿った伝導路であるエッヂチャネルを形成したことによるものと考えている。完全に弾道的伝導になる場合にはAが2であることが考えられるが、細線中に少数の散乱体を含む準弾導的な場合には当然Aが2以上になることが予想出来る。しかしAの値は、散乱体の数や壁面での散乱の詳細にも依存することが考えられるのでさらに詳しい研究が必要とされる。
The MBE method is used to connect the substrate to the GaAs/AlGaAs equipment. The temperature field of the calibration channel is about 2 μ m long. There are two kinds of measurements, such as low temperature magnetic resistance measurement, SdH vibration amplitude analysis, high magnetic field, low magnetic field, low temperature magnetic field, low magnetic field, high magnetic field, low magnetic field In the second half of the year, the price of the magnetic field is lower than that of the second half of the year, and the price is lower than that of the first half of the year. This is not true. The price of the GaAs is the same as that of the semi-conductor. At the same time, the amplitude of the transmission line is intended to be analyzed. The amplitude of the sh is different from that of the sl field B^ + _ c. The amplitude (We) is dependent on the amplitude. In the range of 0.2-0.8 μ m of We, it is decided that it will be empty. The radius of the radius, the scale, the scale, the We scale, the radius, the scale, the scale, the radius, the scale, the existence of the radius. Please tell me that the magnetic field B^ + _ c will cause you to know how to change the magnetic field. Now, in the middle of the railway line, the wall of the electric wave along the railway line is located along the railway line. The guidance of the complete system is correct, and the number of scattered objects in the line contains guidance. Of course, above A

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Ochiai,M.Mituno,M.Kawabe,K.Ishibashi,Y.Aoyagi,K.Gamo and S.Namba: "Shubnikovーde Haas Oscillations in a Narrow GaAs/AlGaAs Wire" Jpn,J.Appl.Phys.29. 4793 (1990)
Y. Ochiai、M. Mituno、M. Kawabe、K. Ishibashi、Y. Aoyagi、K. Gamo 和 S. Namba:“窄 GaAs/AlGaAs 线中的 Shubnikovode Haas 振荡”Jpn,J. Phys 29.4793( 1990)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Ishibashi,Y.Aoyagi,S.Namba,Y.Ochiai,M.Kawabe and K.Gamo: "Scattering Time in GaAs/AlGaAs Narrow Wires in the Presence of Magnetic Field" Proc.ICSM90(Berlin). (1991)
K.Ishibashi、Y.Aoyagi、S.Namba、Y.Ochiai、M.Kawabe 和 K.Gamo:“磁场存在下 GaAs/AlGaAs 窄线中的散射时间”Proc.ICSM90(柏林)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Ochiai,K.Ishibashi,M.Mizuno,M.Kawabe,Y.Aoyagi,K.Gamo and S.Namba: "Magnetic Field Dependence of Aperiodic Condnctance Fluctuations in Narrow GaAs/AlGaAs Wires" Proc.Int.Conf.Appl.HighーMag.Fields in Semicond.(1991)
Y.Ochiai、K.Ishibashi、M.Mizuno、M.Kawabe、Y.Aoyagi、K.Gamo 和 S.Namba:“窄 GaAs/AlGaAs 线中非周期性电导波动的磁场依赖性”Proc.Int.Conf.Appl .半导体中的高磁力场。(1991)
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  • 发表时间:
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知道了