课题基金 / 基金详情

電子付着反応を利用した大気汚染物質の除去

電子付着反応を利用した大気汚染物質の除去
利用电子附着反应去除空气污染物
批准号:
03202224
负责人:
田門 肇
金额:
$0.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1.コロナ放電反応器による硫黄化合物の除去コロナ放電によって生成した負イオンのアノ-ド(正電極)への沈着を利用した気体除去装置を試作し,窒素中に微量存在する硫化メチル((CH_3)_2S),メチルメルカプタン(CH_3SH),硫化水素(H_2S),硫化カルボニル(COS),二硫化炭素(CS_2),二酸化硫黄(SO_2)の除去率を測定した。放電電流が大きく反応器入口濃度が低いほど,また処理ガス流量が減少するほど硫黄化合物の除去率は向上した。得られた除去率の順序はH_2S>CH_3SH>(CH_3)_2S>CS_2>COS>SO_2となり,本法の硫黄化合物の除去への適用性が大きいことがわかった。また硫黄化合物濃度が低いほど除去率が高いという知見は本法の特長を示唆する興味深い結果である。2.硫黄化合物の除去率のシミュレ-ション以下の仮定に基づき反応器の設計方程式を導出した。(1)反応器内で気体の流れはピストン流れ,(2)電子付着反応速度定数,電子と負イオンの移動度は電界強度によらず一定,(3)電子,負イオンは電界中でのドリフトによって移動,(4)イオン風のため気体は反応器半径方向に完全混合,(5)負イオンはアノ-ド上ですべて沈着。上記6種類の硫黄化合物の除去率のシミュレ-ションを行ったところ,除去率に及ぼす反応器入口濃度,コロナ放電電流,処理ガス流量の影響を理論的に求めることが可能となった。3.アノ-ドでの硫黄化合物の沈着電子プロ-ブマイクロアナリシスによる使用済みアノ-ド表面の元素分析を行ったところ,沈着した硫黄の存在が確認された。従って,負イオンとアノ-ド表面の反応物の上に硫黄が沈着することによって除去されると考えることができる。アノ-ドの耐久性については,約1年間同じアノ-ドを使用したが劣化は見受けられなかった。
英文摘要
1.コロナ放電反応器による硫黄化合物の除去コロナ放電によって生成した負イオンのアノ-ド(正電極)への沈着を利用した気体除去装置を試作し,窒素中に微量存在する硫化メチル((CH_3)_2S),メチルメルカプタン(CH_3SH),硫化水素(H_2S),硫化カルボニル(COS),二硫化炭素(CS_2),二酸化硫黄(SO_2)の除去率を測定した。放電電流が大きく反応器入口濃度が低いほど,また処理ガス流量が減少するほど硫黄化合物の除去率は向上した。得られた除去率の順序はH_2S>CH_3SH>(CH_3)_2S>CS_2>COS>SO_2となり,本法の硫黄化合物の除去への適用性が大きいことがわかった。また硫黄化合物濃度が低いほど除去率が高いという知見は本法の特長を示唆する興味深い結果である。2.硫黄化合物の除去率のシミュレ-ション以下の仮定に基づき反応器の設計方程式を導出した。(1)反応器内で気体の流れはピストン流れ,(2)電子付着反応速度定数,電子と負イオンの移動度は電界強度によらず一定,(3)電子,負イオンは電界中でのドリフトによって移動,(4)イオン風のため気体は反応器半径方向に完全混合,(5)負イオンはアノ-ド上ですべて沈着。上記6種類の硫黄化合物の除去率のシミュレ-ションを行ったところ,除去率に及ぼす反応器入口濃度,コロナ放電電流,処理ガス流量の影響を理論的に求めることが可能となった。3.アノ-ドでの硫黄化合物の沈着電子プロ-ブマイクロアナリシスによる使用済みアノ-ド表面の元素分析を行ったところ,沈着した硫黄の存在が確認された。従って,負イオンとアノ-ド表面の反応物の上に硫黄が沈着することによって除去されると考えることができる。アノ-ドの耐久性については,約1年間同じアノ-ドを使用したが劣化は見受けられなかった。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
岡崎 守男: "コロナ放電反応器による微量硫黄化合物の除去" ケミカルエンジニヤリング. 37. 138-143 (1992)
Morio Okazaki:“使用电晕放电反应器去除痕量硫化合物”化学工程,37. 138-143 (1992)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
バイオ燃料合成を目的とした金属・ナノカーボン複合触媒の低コスト合成法の開発
  • 批准号:
    12F02074
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    田門 肇
  • 依托单位:
マクロポーラスカーボンモノリスの創製と階層構造制御法の開発
  • 批准号:
    17656251
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.18万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    田門 肇
  • 依托单位:
電磁波照射による活性化学種を利用した反応システムの統合的体系化
  • 批准号:
    12895021
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.05万
  • 财政年份:
    2000
  • 负责人:
    田門 肇
  • 依托单位:
超臨界/凍結乾燥を用いたメソポーラスカーボンゲルの創出
  • 批准号:
    11124227
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    田門 肇
  • 依托单位:
海外基金