極端紫外光による高性能アモルファス材料の作製と高効率太陽電池への応用
利用极紫外光制备高性能非晶材料及其在高效太阳能电池中的应用
基本信息
- 批准号:03203233
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1991
- 资助国家:日本
- 起止时间:1991 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
1.真空紫外光によるアモルファス薄膜の作製従来我々は,マイクロ波励起水素ガス窓無し放電管を用いて,高性能水素化アモルファスシリコン薄膜の作製を報告してきた。今回,フォスフィンやジボランガスを添加導入し,ド-ピングを試みた。導入量を変えることにより、同一装置にてN形P形伝導度の制御が可能であることを示した。さらに,ブタンガスやTMDSを原料ガスとして用い,アモルファス炭化珪素薄膜を作製し,高効率太陽電池材料として有効であることを確認した。2.光誘起欠陥の実験的研究アモルファスシリコン材料は可視光長時間照射により劣化し,太陽電池の信頼性に疑問が持たれ,緊急課題として原因の究明が進められている。我々は,短波長光照射劣化が可視光の場合と異なることを見い出し,その劣化機構に検討を加えた。3.光誘起欠陥の理論的研究光照射劣化は太陽電池実用化への大きな障害となるため,従来から多くのモデルが提案され研究されてきたが,ミクロな機構は未解明である。光照射による水素との結合変化が主要原因であるとのモデルが有力であるので,その可能性を明らかにするため,水素原子の移動による相対的位置によるギャップ内準位の変化を分子軌道法を用いて理論計算を行ない,水素原子の配置により準安定状態が存在することが確認された。劣化のミクロな機構との関連が示唆された。4.他の材料の開発高効率低価格太陽電池材料としてCuInSe_2材料が注目されている。我々は,スパッタ法により試料を作製し,その特性を明らかにした。今後のaーSiと組合せた高効率太陽電池の実現への基礎デ-タの収集を行なった。
1. The vacuum ultraviolet に よ る ア モ ル フ ァ ス film の 従 for my 々 は, マ イ ク ロ wave excitation on water element ガ ス 窓 no し discharge tube を with い て, high-performance water element change ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン を report the film の cropping し て き た. This time,フォスフィ やジボラ やジボラ ガスを ガスを add import フォスフィ,ド-ピ グを グを try みた. Import quantity を - え る こ と に よ り, the same device に て N P form 伝 conductance の suppression が may で あ る こ と を shown し た. さ ら に, ブ タ ン ガ ス や TMDS を materials ガ ス と し て in い, ア モ ル フ ァ ス carbonized stating し the film を cropping, high rate of unseen solar battery material と し て have sharper で あ る こ と を confirm し た. 2. The light induced owe 陥 の be 験 research ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン material は visible light irradiation for a long time に よ り degradation し, solar battery の letter 頼 sex に doubt が hold た れ, urgent topic と し て reason の investigate Ming が into め ら れ て い る. I 々 は, short wavelength light degradation が visible light の occasions と different な る こ と を see い し, そ の degradation institutions に を 検 please add え た. 3. The light induced owe 陥 の research of the theory of light degradation は solar battery be used the へ の big き な handicap of と な る た め, 従 to か ら more く の モ デ ル が proposal さ れ research さ れ て き た が, ミ ク ロ は な is not interpret で あ る. Light に よ る water element と の combination - the main reasons が で あ る と の モ デ ル が powerful で あ る の で, そ の possibility を Ming ら か に す る た め, water element atoms の mobile に よ る phase position に seaborne よ る ギ ャ ッ in quasi プ の variations change を を molecular orbital method with い て theoretical calculation of line を な い, water element atoms の configuration に よ り quasi stable state が exist す る こ と Youdaoplaceholder0 confirm された. Deterioration of ロな ロな agency と と associated が instigation された. 4. He developed high-efficiency and low-efficiency 価 grid solar cell materials と <s:1> てCuInSe_2 materials が, focusing on されて る る る. I 々 は, ス パ ッ タ method に よ り sample を as し, そ の features を Ming ら か に し た. In the future, the <s:1> a と Siと combination せた high-efficiency solar cells <s:1> actual へ <s:1> basic デ-タ <s:1> are developed を and なった.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Yamaguchi,J.Matsufuse and A.Yoshida: "Thin films of CuInSe_2 prepared by rf sputtering from various compositional powder targets" Solar Cells.
T.Yamaguchi、J.Matsufuse 和 A.Yoshida:“通过射频溅射从各种成分粉末靶材制备 CuInSe_2 薄膜”太阳能电池。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Saito and A.Yoshida: "Vacuum ultraviolet light induced defects in hydrogenated amorphous silicon films" Philos.Mag.
Y.Saito 和 A.Yoshida:“氢化非晶硅薄膜中的真空紫外光诱导缺陷”Philos.Mag。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Yamaguchi,Y.Baba,M.Nishimura,J.Matsufusa and A.Yoshida: "Thermal cystallization of CuInSe_2 films in flowing or pressurized atmosphere" phys.stat.sol.(a). 128. 455-463 (1991)
T.Yamaguchi、Y.Baba、M.Nishimura、J.Matsufusa 和 A.Yoshida:“流动或加压气氛中 CuInSe_2 薄膜的热结晶”phys.stat.sol.(a)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
村主 一仁,吉田 明: "分子軌道法によるアモルファス半導体光構造変化の解析" 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究専門委員会報告. SDM91ー181. 1-6 (1992)
Kazuhito Muranushi、Akira Yoshida:“使用分子轨道方法分析非晶半导体的光学结构变化”IEICE 硅材料和器件研究委员会的报告 1-6 (1992)。
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- 作者:
- 通讯作者:
斎藤 洋司,吉田 明: "水素化アモルファスシリコン膜における真空紫外光照射誘起欠陥" 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究専門委員会報告. SDM91ー182. 7-12 (1992)
Yoji Saito、Akira Yoshida:“氢化非晶硅薄膜中的真空紫外光照射引起的缺陷”IEICE 硅材料和器件研究委员会的报告 (1992)。
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