课题基金 / 基金详情

プラズマプロセスによるフリーラジカル発生、反応、輸送と膜堆積過程の統合的研究

プラズマプロセスによるフリーラジカル発生、反応、輸送と膜堆積過程の統合的研究
等离子体工艺自由基产生、反应、传输和薄膜沉积过程的综合研究
批准号：
06228203
负责人：
田頭 博昭
金额：
$1.09万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1994 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06228203/
关键词：
モノシランシリルダングリングボンドイオン速度分布rfプラズマ制御電離係数TEOS

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究は当初Si_3N_4薄膜を形成するためのラジカルを発生するRFプラズマのシミュレーション解析とその薄膜形成過程のシミュレーションに主としてあてられる予定であったが、Si_3N_4ならびにそのプリカーサラジカルに関する研究が不十分のため、急遽方針を転換して、次のような研究を行ない、成果を発表した。1)アモルファスシリコン膜堆積についてダイヤモンド格子も用いたモデリングを行い、これによってスピン密度の研究を行なった。その結果、スピン密度を与えるもととなるダングリングボンドはボイド中にあるという結論を得たが、これはおそらく相当に堆積速度が大きく十分密な膜となっていないときの結果であろうと思われる。最近のきわめて良質な膜では、ボイドとダングリングボンドは相関が薄いと報告されており、この点の検討が、今後必要であることを明らかにした。2)電荷転移と弾性衝突がある気体中のイオンの速度分布、スオームパラメータのモンテカルロ法による研究を行ない、電荷転移によるピークをもつ速度分布の特異な形状が弾性衝突により緩和されることを明らかにした。M.Kushnerが与えた周波数をもとにモノシランガス中のシリルイオンの拡散係数を求めた。3)RF非平衡プラズマの制御を目的として、トランスジェント特性をもとめ、制御を行なうときの基礎的データを得た。また、比例オンオフ制御による制御性をシミュレーション研究し、制御可能性を見いだした。4)来年度研究予定のTEOS中の電離係数を、北見工大吉田研究室と協力して測定し、初めてその値を与えた。これは、TEOSガス中のプラズマのシミュレーションの基礎を与えるものである。
英文摘要
本研究は当初Si_3N_4薄膜を形成するためのラジカルを発生するRFプラズマのシミュレーション解析とその薄膜形成過程のシミュレーションに主としてあてられる予定であったが、Si_3N_4ならびにそのプリカーサラジカルに関する研究が不十分のため、急遽方針を転換して、次のような研究を行ない、成果を発表した。1)アモルファスシリコン膜堆積についてダイヤモンド格子も用いたモデリングを行い、これによってスピン密度の研究を行なった。その結果、スピン密度を与えるもととなるダングリングボンドはボイド中にあるという結論を得たが、これはおそらく相当に堆積速度が大きく十分密な膜となっていないときの結果であろうと思われる。最近のきわめて良質な膜では、ボイドとダングリングボンドは相関が薄いと報告されており、この点の検討が、今後必要であることを明らかにした。2)電荷転移と弾性衝突がある気体中のイオンの速度分布、スオームパラメータのモンテカルロ法による研究を行ない、電荷転移によるピークをもつ速度分布の特異な形状が弾性衝突により緩和されることを明らかにした。M.Kushnerが与えた周波数をもとにモノシランガス中のシリルイオンの拡散係数を求めた。3)RF非平衡プラズマの制御を目的として、トランスジェント特性をもとめ、制御を行なうときの基礎的データを得た。また、比例オンオフ制御による制御性をシミュレーション研究し、制御可能性を見いだした。4)来年度研究予定のTEOS中の電離係数を、北見工大吉田研究室と協力して測定し、初めてその値を与えた。これは、TEOSガス中のプラズマのシミュレーションの基礎を与えるものである。
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
田中公盛: "モンテカルロ法による薄膜堆積過程のシミュレーション(4)" 平成7年春季第42回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集. (1). (1995)
Kimimori Tanaka：“使用蒙特卡罗方法模拟薄膜沉积过程（4）”日本应用物理学会 1995 年第 42 届春季会议论文集（1）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
篠原敦志: "電荷転移を考慮したrf電界下におけるイオン速度分布のモンテカルロシミュレーション" 平成7年春季第42回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集. (1). (1995)
Atsushi Shinohara：“考虑电荷转移的射频电场下离子速度分布的蒙特卡罗模拟”日本应用物理学会 1995 年第 42 届春季会议论文集（1）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
篠原敦志: "DC及びRF電界下におけるSiH^+_3イオンスオームのモンテカルロシミュレーション" 第12回プラズマプロセシング研究会プロシ-ディングス(11B-08). (1). 409-412 (1995)
Atsushi Shinohara：“直流和射频电场下 SiH^+_3 离子群的蒙特卡罗模拟”第 12 届等离子体处理研究组论文集 (11B-08) (1995)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
田中公盛: "モンテカルロ法による水素化アモルファスシリコン薄膜の堆積過程のモデリング" 第12回プラズマプロセシング研究会プロシ-ディングス(111B-01). (1). 441-444 (1995)
Kimimori Tanaka：“使用蒙特卡罗方法模拟氢化非晶硅薄膜的沉积过程”第 12 届等离子体处理研究组论文集 (111B-01) (1995)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 6 条
    地球環境問題を考慮した高電圧電力機器絶縁に関する基礎的研究
    • 批准号：
      07650318
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      田頭 博昭
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    プラズマプロセスによるフリーラジカル発生、反応、輸送と膜堆積過程の統合的研究
    • 批准号：
      05237203
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $1.34万
    • 财政年份：
      1993
    • 负责人：
      田頭 博昭
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    高電圧電力機器絶縁に関する基礎的研究
    • 批准号：
      05452174
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.42万
    • 财政年份：
      1993
    • 负责人：
      田頭 博昭
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    微粉体誘電体による気体(SF_6、空気)の絶縁耐力上昇機構に関する研究
    • 批准号：
      04650227
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      1992
    • 负责人：
      田頭 博昭
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金