反応過程の制御
反应过程控制
基本信息
- 批准号:04223105
- 负责人:
- 金额:$ 19.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1992
- 资助国家:日本
- 起止时间:1992 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、半導体の光励起プロセスにおける、光子と反応ガスの相互作用、気相反応過程、および膜形成過程などの反応素過程を、理論、実験の両面から解析することによって、反応機構を明らかにし、最終的には反応過程を制御できるようにすることを目的としている。本年度は以下の成果を得た。[反応素過程の理論解析]光照射が表面マイグレーションに与える影響を理論的に解析するために、表面マイグレーションモデルを構築した。[種々の波長の光照射による表面反応の制御]前年度までに明らかにした高真空下での有機金属化合物の光分解素過程をもとに、光照射効果による原子層レベルでの結晶成長の見通しをつけた。また、反射高速電子線回折により表面反応を解析した。[光誘起気相二次反応の制御]二酸化チタンの光CVD反応において中間種の生成機構、付着確率、濃度を決定する手法を確立し、堆積表面での中間種の光触媒反応が重要な役割をはたしていることを明らかにした。[光励起による薄膜堆積の活性化]高感度赤外分光法を用いてSi表面の酸化の様子をその場観察し、重水素ランプ光を照射することによりSi表面の酸化が促進されることを明らかにした。[X線励起による固相成長過程の解明]非晶質Siにシンクロトロン放射光を照射するとき、K殻励起の方がL殻励起より効率良く非晶質内にダングリンボンドが形成されることを明らかにした。これは、X線固相成長でX殻励起が重要な役割をはたしていることを示している。[光照射による活性種の選択生成]ジシランの超音速ジェットにArFエキシマレーザを照射することにより、Siイオン、SiおよびSiHラジカルを生成し、これらの種がSi結晶成長に与える影響を調べた。[真空紫外レーザを用いた気相反応および表面反応の解析手法の確立]真空紫外レーザを光源とする光電子分光装置を試作し、表面反応を2μmの空間分解能で解析する見通しをつけた。
This research aims at the following aspects: the optical excitation of semiconductors, the interaction between photons and reactionaries, the phase inversion process, the film formation process, the reactionaries process, the theory, the surface analysis, the mechanism analysis, and the final control of the reactionaries process. The following results were achieved during the year. [Theoretical analysis of anti-proton process] Light irradiation affects the theoretical analysis of anti-proton process. [Control of surface reflection due to light irradiation of different wavelengths] In the past year, photolysis processes of organometallic compounds under high vacuum were observed, and the effects of light irradiation on atomic layer formation and crystal growth were observed. In addition, the surface reflection caused by the folding of reflective high-speed electronic wires was analyzed. [Control of Photoinduced Phase Secondary Reaction] Photochemical CVD reaction of diacid catalyst intermediate species generation mechanism, payment accuracy, concentration determination method, accumulation surface intermediate species photocatalyst reaction is important [Activation of thin film deposition by optical excitation] High-sensitivity infrared spectroscopy is used to detect the acidification of Si surface. [Explanation of solid phase growth process due to X-ray excitation] Amorphous Si: Si X-ray solid phase growth is important for X-ray shell excitation. [Selective generation of active species under light irradiation] Supersonic irradiation of Si, Si and Si crystals and their effects on Si crystal growth [Establishment of analytical method for vacuum ultraviolet light source and surface reflection] Test of optoelectronic spectroscopic device for vacuum ultraviolet light source and spatial resolution of surface reflection 2μm
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Minoru Tsuda: "Mechanism of the step growth of diamond crystals with carbon atoms.I.Epitaxial growth of (001)surfaces in the lowest sinlet state with carbon atoms" Jurnal of Electrochemical Society. 139. 1482-1489 (1992)
Minoru Tsuda:“含碳原子的金刚石晶体的阶梯生长机制。I.含碳原子的最低小晶态的 (001) 表面的外延生长”《电化学学会杂志》。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Masahiro Yoshimoto: "Direct photo chemical vapor deposition of Silicon nitride and its application to MIS structure" IEICE Transactions on Electronics. E75-C. 1019-1024 (1992)
Masahiro Yoshimoto:“氮化硅的直接光化学气相沉积及其在 MIS 结构中的应用”IEICE Transactions on Electronics。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Nishida: "In-situ characterization of Si surface oxidation by high-sensitivity infrared reflection spectroscopic method in vacuum chamber" Extended Abstracts of the 1992 International Comference on Solid State Devices and Materials. 114-116 (1992)
M.Nishida:“在真空室中通过高灵敏度红外反射光谱法对 Si 表面氧化进行原位表征”1992 年国际固态器件和材料会议的扩展摘要。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Masahiro Yoshimoto: "Atomic-layer control in GaP growth by laser-triggered chemical beam peitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L335-L337 (1993)
Masahiro Yoshimoto:“激光触发化学束外延对 GaP 生长的原子层控制”,日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Matusi: "Low-temperature growth of SiO_2 thin film by photoinduced chemical vapor deposition using symchrotron radiation" Jananese Journal of Applied Physics. 31. 1972-1978 (1992)
Y.Matusi:“使用同步辐射的光致化学气相沉积法低温生长 SiO_2 薄膜”Jananese Journal of Applied Chemistry。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
松波 弘之其他文献
松波 弘之的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('松波 弘之', 18)}}的其他基金
高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御
高效功率器件用碳化硅的高质量晶体生长和物性控制
- 批准号:
09044156 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for international Scientific Research
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
用于表面超结构控制原子层外延的自由基的制备
- 批准号:
07217212 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
用于表面超结构控制原子层外延的自由基的制备
- 批准号:
06228219 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
表面超结构控制原子层外延中自由基的产生
- 批准号:
05237220 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
反応過程の制御
反应过程控制
- 批准号:
03239106 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
反応過程の制御
反应过程控制
- 批准号:
02253106 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発
利用载流子限域效应开发新型超薄高效太阳能电池
- 批准号:
01603522 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化
利用载流子限制效应优化新型结构高效太阳能电池
- 批准号:
63603528 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池
利用载流子限制效应的新型结构高效太阳能电池
- 批准号:
62603529 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
紫外域レーザ光を用いた低温における極薄層の形成
使用紫外激光在低温下形成超薄层
- 批准号:
58209030 - 财政年份:1983
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
相似海外基金
吸着・会合・脱離素過程分析に基づくラジカル表面反応現象の解明とモデル構築
基于吸附、缔合和解吸基本过程分析的自由基表面反应现象的阐明和模型构建
- 批准号:
23K22685 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
アンモニア熱・プラズマ支援分解のためのab initio表面反応モデルの構築
氨热和等离子体辅助分解的从头算表面反应模型的构建
- 批准号:
24KJ0711 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超音速分子線照射による遷移金属材料に対する原子層エッチング表面反応機構の解明
超声分子束辐照阐明过渡金属材料原子层刻蚀表面反应机理
- 批准号:
24K08246 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属ナノ粒子が担持された半導体光触媒の表面反応場を活用するα-第三級アミン合成
利用金属纳米颗粒负载的半导体光催化剂的表面反应场合成α-叔胺
- 批准号:
24K17676 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ゼータ電位に基づく粒子表面反応計測
基于zeta电位的颗粒表面反应测量
- 批准号:
23K13771 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ジケトン分子吸着過程およびガスクラスターイオンビーム照射による表面反応過程の解明
通过气体团簇离子束照射阐明二酮分子的吸附过程和表面反应过程
- 批准号:
23K13236 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ハイエントロピー合金を駆使した表面反応場の精密設計と革新的触媒の開発
表面反应场的精确设计和高熵合金创新催化剂的开发
- 批准号:
22KJ0077 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多元素合金を駆使した表面反応場の精密設計と革新的触媒の開発
表面反应场的精确设计和使用多元合金开发创新催化剂
- 批准号:
22KJ0016 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多元素合金を駆使した表面反応場の精密設計と革新的触媒の開発
表面反应场的精确设计和使用多元合金开发创新催化剂
- 批准号:
23KJ0028 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
赤外プラズモン増強場による高振動励起を基盤とした金属表面反応制御
基于红外等离子体增强场高振动激发的金属表面反应控制
- 批准号:
21K14584 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 19.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists