キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池
批准号:
62603529
负责人:
松波 弘之
金额:
$1.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --
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英文摘要
本研究は, 異なった禁制帯幅を持つ異種半導体のヘテロ接合を用いて, 光によって励起生成されたキャリヤを閉じ込めて高効率で電流を取り出せる新構造太陽電池を設計・製作することを目的としている. 本年度は, 動作性能の理論的検討ならびにヘテロ接合の形成と評価に重点をおいて研究を進めた. 得られた成果は次の通りである.1.[新構造太陽電池の変換効率の理論的検討] 素子構造を一次元モデルで近似し, 変換効率の理論的検討を行なった. 0.1〜10Ωcmの抵抗率のシリコン基板を用いた場合, セル厚を薄くすることにより光照射時短絡電流密度が増加し, 最適厚では従来型のセルより大きな値を得られることが分った. 暗時逆方向飽和電流密度を表面再結合効果を考慮して求めた. セルの変換効率は, 最大21%(AM1.5, 100mW/cm^2)が達成できる.2.[シリコン上の異種半導体ヘテロ接合の形成と界面評価] シリコン上に広禁制帯幅半導体としてアモルファスシリコンカーボン(禁制帯幅2.3〜4.0eV)をグロー放電法を用いて製作した. 容量一電圧特性より求めたシリコンカーボンとp-Siとの界面準位密度はカーボン組成の増加とともに減少し, 最小5×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>の良好な界面を形成することが分った. 光化学気相堆積法により製作した窒化シリコンもn-Siと良質の界面を持つことを示し, 良好なヘテロ接合の形成技術を確立した.3.[キャリヤ閉じ込め効果の確認] 光誘起電流法により求めた実効拡散長は表面電位障壁層の存在により2倍以上増加した. これは, 電位障壁によりキャリヤが閉じ込められ表面再結合の影響が低減されたためであると考えられる. 以上の結果を基にして, セルを試作し光電変換効率の分光特性を評価したところ, キャリヤ閉じ込めによる短波長感度の増加が得られ, 新構造太陽電池の動作が確認された. 今後, 構造の最適化により効率改善を図る.
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Takashi Fuyuki: Technical Digest of the 3rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Tokyo,. 21-24 (1987)
Takashi Fuyuki:第三届国际光伏科学与工程会议技术文摘,东京。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御
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批准号:09044156
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项目类别:Grant-in-Aid for international Scientific Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
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批准号:07217212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1995
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
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批准号:06228219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
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批准号:05237220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1993
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:04223105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$19.97万
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财政年份:1992
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:03239106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.68万
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财政年份:1991
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:02253106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$33.73万
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财政年份:1990
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発
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批准号:01603522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1989
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化
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批准号:63603528
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1988
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
紫外域レーザ光を用いた低温における極薄層の形成
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批准号:58209030
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1983
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
気相エピタキシャル法を用いた高効率SiC青色発光ダイオードの開発
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批准号:57850094
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.43万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
広禁制帯幅半導体材料のヘテロ・エピタキシャル成長と価電子制御
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批准号:57460053
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.44万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
IBS法によるa-Si_1-xCx:F:Hの製作とその光電変換への応用
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批准号:56211033
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
InPのプラズマ酸化膜形成と界面の電子的性質の研究
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批准号:56550014
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
MOS構造新発光方式を用いた高効率SiC可視発光素子開発のための基礎研究
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批准号:X00090----455126
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
Si C青色発光ダイオードの高効率化のための深い中心と等電子的トラップの研究
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批准号:X00090----255119
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1977
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
ガラス半導体における光メモリー効果の基礎的研究
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批准号:X00210----775145
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1972
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
海外基金