キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発
批准号:
01603522
负责人:
松波 弘之
金额:
$2.11万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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英文摘要
本研究は、異なった禁制帯幅を持つ異種半導体のヘテロ接合を用いて、光により励起生成されたキャリヤを閉じ込めて高効率で電流を取り出せる新構造太陽電池を設計・製作することを目的としている。本年度は、セル構造の最適化ならびにセル製作プロセスの開発を行い、高効率セルヲ試作した。1.光電変換効率の理論的検討ヘテロ接合による電位障壁のため、光生成キャリヤはシリコン内に閉じ込められ、表面結合による損失が提言される。基板薄膜化によるバルク内再結合の炉減少の効果がさらに付加される。表面テクスチャ-構造ならびに裏面反射鏡による光の閉じ込め効果を考慮した理論的計算結果によると、変換効率は基板厚減少とともに増加し、厚さ約40μmで最大24%を超える値が得られることが分かった。2.新構造太陽電池の試作超薄基板を形成するための無損傷エッチング工程を開発し、薄膜化による新構造太陽電池動作特性の改善を実験的に検証した。低損傷プロセスとして有望である光CVD法を用いて、広禁制帯幅半導体非晶質SiN膜をSi上に低温で堆積し、広/狭禁制帯幅半導体ヘテロ接合による電位井戸を形成した。試作素子においては広い波長領域にわたって一様な内部量子効率が得られ、表面再結合速度が低減されていることが確認でき、光生成キャリヤSi内に効果的に閉じ込められていることが分かった。基板厚を薄膜化した試作素子において、光照射短絡電流密度は基板厚減少とともに一様に増加し、最小50μmでは、通常の厚さの場合の約2倍の値が達成でき、理論計算を裏付ける結果が得られた。以上の成果により当初の目的は達成できたと考えられる。今後電荷分離用pn接合や電流収集電極形成プロセスの最適化により高効率太陽電池を早急に実現したい。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
田窪健二: "光CVD法によるSiN膜の堆積機構の解析" 電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会技術研究報告. SDM89-139. 47-51 (1989)
Kenji Takubo:“光学CVD法沉积SiN薄膜的机理分析”电子、信息和通信工程师研究所硅材料和器件研究组的技术研究报告SDM89-139(1989)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御
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批准号:09044156
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项目类别:Grant-in-Aid for international Scientific Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
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批准号:07217212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1995
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
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批准号:06228219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
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批准号:05237220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1993
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:04223105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$19.97万
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财政年份:1992
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:03239106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.68万
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财政年份:1991
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:02253106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$33.73万
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财政年份:1990
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化
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批准号:63603528
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1988
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池
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批准号:62603529
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1987
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
紫外域レーザ光を用いた低温における極薄層の形成
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批准号:58209030
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1983
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
気相エピタキシャル法を用いた高効率SiC青色発光ダイオードの開発
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批准号:57850094
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.43万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
広禁制帯幅半導体材料のヘテロ・エピタキシャル成長と価電子制御
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批准号:57460053
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.44万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
IBS法によるa-Si_1-xCx:F:Hの製作とその光電変換への応用
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批准号:56211033
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
InPのプラズマ酸化膜形成と界面の電子的性質の研究
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批准号:56550014
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
MOS構造新発光方式を用いた高効率SiC可視発光素子開発のための基礎研究
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批准号:X00090----455126
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
Si C青色発光ダイオードの高効率化のための深い中心と等電子的トラップの研究
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批准号:X00090----255119
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1977
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
ガラス半導体における光メモリー効果の基礎的研究
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批准号:X00210----775145
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1972
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
海外基金