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光励起分子の分子構造および構造ダイナミクスに関するX線回折的研究

光激发分子的分子结构和结构动力学的X射线衍射研究

基本信息

批准号：
07231227
负责人：
鳥海幸四郎
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Himeji Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

光励起子のX線構造解析に関して、可能性の高いハロゲン架橋一次元金属錯体について、以下のような興味深い結果を得ることに成功している。(1)ハロゲン架橋一次元ニッケル錯体の電解合成と構造一物性相関。電解酸化法を用いてハロゲン架橋一次元Ni^<III>-Br-Ni^<III>錯体、{[Ni(en)_2Br](C1O_4)_2}_∞、の2つの多形(α体とβ体)の結晶作成に成功した。α体の結晶構造解析から、架橋臭素原子は2つのニッケル原子の中央に位置し,Ni-Br距離は2.640(1)Åと長くなっていることが明らかになった。また、β体については一次元鎖方向の格子定数から2.693(2)Åと見積られた。このNi-Br距離の伸びは嵩高いC1O_4^-を外圏イオンに導入できたことによるものと思われる。また、磁化率の温度依存性の測定からNi^<III>上のスピン間に働く反強磁性相互作用の大きさをJ=-1700Kと見積もることができた。(2)ハロゲン架橋一次元複核白金錯体、Pt_2(dta)_4I、の構造相転移。Pt_2(dta)_4Iの格子定数の温度依存性を-160〜190℃の範囲で単結晶X線回折法を使って測定したところ、電気伝導度において観測された半導体→金属→半導体転移に対応して、-20〜100℃の温度範囲で単位格子の体積に関して負のヒステリシスを伴う異常な挙動が観測された。格子定数の温度依存性から90℃から100℃の間に一次相転移があり、また-20℃以下では低温相で100℃以上では高温相であることが明らかになった。-89℃および130℃における単結晶構造解析より、低温相では空間群はC2/cで結晶構造に乱れは見られないが、高温相ではA2/mでdta配位子のコンホメーションに乱れがあることが明らかになった。低温相と高温相の結晶構造の比較から、格子定数の温度変化の異常な挙動は、dta配位子のコンホメーションのorder/disorderに関係しているものと思われる。

X-ray structural analysis of optical excitation is related to the high probability of bridging one-dimensional metal faults, and the following results are interesting and successful. (1)Electrolytic synthesis and structure-property correlation of the first element of the complex. The crystallization of Ni^<III>-Br-Ni ^<III>complex,{[Ni(en)_2Br](C1O_4)_2}_∞, and 2 polymorph (α-β-body) was successfully prepared by electrolytic acidification method. Crystal structure analysis of α-body, bridging element atom 2 The number of lattices in the direction of a dimensional lock is 2.693(2). C1O_4 ^-The distance between Ni-Br and C1O_4^-The distance between Ni-Br and C1O_4^-The distance between Ni-Br and C1O_4^-The distance between Ni-Br and C1O_4 ^- Determination of Temperature Dependence of Magnetic Susceptibility on Ni_(2) and Ni_(2<III>) (2)Pt_2(dta)_4I, structural phase shift. The temperature dependence of the lattice number of Pt_2(dta)_4I in the temperature range from-160 ℃ to 190 ℃ was determined by X-ray diffraction method. The conductivity of the lattice was measured by semiconductor → metal → semiconductor transition. The temperature range from-20 ℃ to 100 ℃ was determined by negative X-ray diffraction method. The temperature dependence of lattice constant number ranges from 90℃ to 100℃ and the first phase shift is below-20℃ and the low temperature phase is above 100℃ and the high temperature phase is below-20℃. 89℃ to 130℃ crystal structure analysis, low temperature phase to space group C2/c crystal structure chaos, high temperature phase to A2/m dta ligand chaos Comparison of crystal structure between low temperature phase and high temperature phase, abnormality of lattice number and temperature change, order/disorder relationship of dta ligand