多数の硫黄原子を有するTTF誘導体の合成と錯体の電導性

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4、5-メチレンジチオ-4'、5'-(2-オキサトリメチレンジチオ)TTF(略してMOTT)錯体を電解結晶法で合成し、電気伝導度の温度変化を測定した。その結果、XF_6塩(X=P、As、Sb、Nb、Ta)で金属伝導性を示したが、すべての系で22-45Kの範囲で半導体に転移した。(MOTT)_2AsF_6錯体の伝導度の圧力効果を測定した結果、低温部での金属・半導体転移は6kbarの圧力で完全に消失したが、超伝導は観測されなかった。金属・半導体転移はこれらの錯体の低次元性に由来すると思われるが、このことは、錯体の結晶構造解析に基づいたバンド計算からも確かめられた。N、N-ジメチルアミノTTFはTTFよりも更に強いドナー分子であることが期待され、それを用いた錯体の伝導性や磁性に興味がもたれる。我々はリチオTTFに対する求電子反応でその分子の合成に成功した。BEDT-TTFのように、多数の硫黄原子を有するTTF誘導体を含む錯体は、2次元錯体を与え、超伝導に有利であることが知られている。そこで我々は、リチオTTF同士を求電子反応を用いて硫黄で橋渡しする簡便な方法を見つけた。従来の合成方法が多段階合成であるのに対して、本方法は1ポット合成である点に意義がある。従来の伝導性錯体のほとんどは、1、3-テトラチアフルバレンおよびその誘導体をベースにしている。1、2-テトラチアフルバレン(略して1、2-TTF)誘導体も興味あるドナー分子である。我々はジベンゾ-1、2-TTFとBEDT-1、2-TTFの合成を試み、成功には至っていないが、1、2-ジチオール環をアジン結合で結んだ新規物質の合成に至っている。