ジアミドホスファイト型多金属含有不斉触媒の開発

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単年度の研究課題として、ジアミノホスフィンオキシドを反応系中でジアミドホスファイト型の化合物へと変換させて配位子として利用する方法論を基盤に、多金属関与型の触媒系の開発を検討した。以下に研究結果を示す。多金属触媒系としては、Ir-ジアミノホスフィンオキシド触媒系を用いるアリル位アルキル化反応、Pd-ジアミノホスフィンオキシド触媒系を用いる4級アミノ酸誘導体の触媒的不斉合成、及び2位に置換基を有するシクロアルケニルアルコール誘導体に対するアリル位アルキル化反応の検討を行った。それぞれ遷移金属触媒に加えて、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム-酢酸リチウム、酢酸カリウム、酢酸リチウムを添加することで、高選択性を実現している。また、論文報告には至っていないものの、Pd触媒によるアリル位置換反応を用いる動的速度論分割を経由する光学活性アレン類の合成も検討しており、90%を越える光学純度にて目的物を得る事に成功している。本反応系はこれまでに成功例が少なく、効率的な触媒系の開発はキラルアレン類合成の進展に大きく貢献できる。また、キラルアレン合成の検討において、Pd触媒に加えて酢酸マグネシウムを添加することにより連続アリル位置換反応が進行し、特徴的な構造を有する5員環生成物をワンポットにて得る事にも成功した。一方、ジアミドホスファイト型多金属錯体の創製に関しては、種々検討を行ったものの現段階では錯体調製に問題を残している。現在は2級ホスフィンオキシド類を利用した多金属錯体の創製を検討している。