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高分子金属錯体単分子膜のナノ界面場での動的機能制御

纳米界面领域聚合物-金属复合单层的动态功能控制

基本信息

批准号：
15036209
负责人：
宮下徳治
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2004
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15036209/
关键词：
高分子ナノシートルテニウム錯体光二量化光メモリー

项目摘要

積層型高分子ナノシートを用いた光入力型発光メモリーの開発Langmuir-Blodgett法を用いて作製される高分子ナノシートは分子レベルでの機能団の集積・組織化が容易であり、異なった分子を高秩序に配列することによる高次機能の発現が期待される。特にLB法を用いることにより、異なる機能を有する高分子ナノシート間の距離をナノメートルオーダーで制御して配列することが可能である。一方で色素間の励起エネルギー移動は数ナノメートル以内の距離でのみ起こる。そこで、ルテニウム錯体(Ru)を有する高分子ナノシートをナノメートルオーダーで空間制御し、アントラセン(An)を有する高分子ナノシート間での光エネルギー移動と光化学反応との組み合わせによるLB膜の発光増強について検討した。Ruナノシートのみを石英基板に積層した膜においてはλ_<ex>=298nmの励起に伴い600nm付近に極大を示すRu錯体の発光が観測された。一方でRuナノシートにさらにAnナノシートを積層するとその発光強度は減少した。これはRu錯体の励起エネルギーが3重項-3重項エネルギー移動によりAnへ移動し消光されたためである。つづいてアントラセンの光二量化によるRuの蛍光回復について検討を行った。アントラセンは光照射に伴い9,10位同士が架橋した二量体を形成することが知られている。この二量体はRu錯体のエネルギーアクセプターと働くことができずその結果Ruナノシートからの発光が回復すると考えられる。そこで368nmの光を照射しアントラセンの二量化反応を進行にともなうRU錯体の発光スペクトルを示す。30minでRu錯体の発光強度は初期の1.7倍まで増加した。30min以上照射を行っても発光強度の変化がなく二量化反応は30min以内で終了していると考えられる。Ru錯体の励起波長ではアントラセンの二量化は起こらないため、本系は368nmを書き込み光、298nmを読み出し光としたread-only memory(ROM)への応用が可能となる。

Laminated polymers are prepared by Langmuir-Blodgett method, which is used for the development of light emitting molecules. It is easy to integrate and organize the functional groups of polymer molecules. It is expected that high-order functional groups will be developed. In particular, LB method can be used to control the distance between polymer molecules. A side of the pigment between the excitation and the movement of the number of In this paper, we discuss the light emission enhancement of LB films due to the presence of polymer molecules such as Ru, space control, and photochemical reaction. The excitation at λ <ex>=298nm and the maximum emission at 600nm were measured. The intensity of light emitted by a layer of light is reduced. This is the first time I've ever seen a woman in my life. The optical dual-quantization of Ru and the optical recovery of Ru are discussed in detail. The light irradiation is accompanied by the formation of a bridge between the 9th and 10th molecules. The two quantities are the same as those of the Ru complex. For example, the 368nm light irradiation and the binary quantization process are carried out. 30min, the luminescence intensity of Ru complex increased by 1.7 times compared with the initial period. More than 30 minutes of irradiation time, the intensity of light emission changes, and the quantitative reflection time is less than 30 minutes. The excitation wavelength of Ru fault is 368nm, the excitation wavelength is 298nm, and the excitation wavelength of read-only memory(ROM) is 298nm.