High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction
High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction
批准号:
16K17533
负责人:
Zhang Kexiong
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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The investigation of GaN-based P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
GaN基P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者:
and Liwen Sang
Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric
以原子层沉积 Al2O3 作为栅极电介质的 p-GaN 金属氧化物半导体电容器的电滞现象
DOI:
10.7567/apex.9.121002
发表时间:
2016
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masataka Imura, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者:
and Liwen Sang
InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas
利用极化诱导二维空穴气体的 InGaN/GaN 异质结构 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者:
and Liwen Sang
Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure
通过中性束蚀刻制造 InGaN/GaN 纳米柱:迈向自上而下结构的定向 Micro-LED
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang, Kexiong Zhang]
通讯作者:
Kexiong Zhang
Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs
用于定向 Micro-LED 的中性束蚀刻制造的 InGaN/GaN MQW 纳米柱
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang, Kexiong Zhang, Kexiong Zhang]
通讯作者:
Kexiong Zhang
共 10 条
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光储一体化自发电智能LED灯技术开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:陈晖
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依托单位:
DUV-LED光场对传统米制品中关键腐败菌的杀菌机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:张思颉
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依托单位:
高性能LED光源驱动控制器开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘毅
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依托单位:
基于视觉大模型的多型号LED芯片全外观缺陷智能检测方法研究
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批准号:2025JJ60270
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:张航
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依托单位:
适用于LED光源的光刻胶用肟脂类引发剂的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
面向 GaN 基 micro-LED/钙钛矿量子点的异质集成与缺陷调控机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
近红外LED用稀土激活金属卤化物材料的
能量传递设计以及激发态调控研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:聂静恒
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依托单位:
显示波段高效率蓝光钙钛矿LED器件研发
及其载流子动力学研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:蔡万清
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依托单位:
Micro-LED芯片(模组)显示材料的研发及应用
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:张文霞
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依托单位:
Micro-LED片上集成量子点像素光波导结
构设计与制造研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2025
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负责人:李家声
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依托单位: