High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction

采用偏振诱导隧道结的 p 侧向下结构的高亮度黄色和红色 LED

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The investigation of GaN-based P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
GaN基P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;and Liwen Sang
  • 通讯作者：
    and Liwen Sang
Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric
以原子层沉积 Al2O3 作为栅极电介质的 p-GaN 金属氧化物半导体电容器的电滞现象
  • DOI：
    10.7567/apex.9.121002
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Kexiong Zhang;Meiyong Liao;Masataka Imura;Toshihide Nabatame;Akihiko Ohi;Masatomo Sumiya;Yasuo Koide;and Liwen Sang
  • 通讯作者：
    and Liwen Sang
InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas
利用极化诱导二维空穴气体的 InGaN/GaN 异质结构 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;and Liwen Sang
  • 通讯作者：
    and Liwen Sang
Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure
通过中性束蚀刻制造 InGaN/GaN 纳米柱：迈向自上而下结构的定向 Micro-LED
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;Liwen Sang;Kexiong Zhang
  • 通讯作者：
    Kexiong Zhang
Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs
用于定向 Micro-LED 的中性束蚀刻制造的 InGaN/GaN MQW 纳米柱
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;Liwen Sang;Kexiong Zhang;Kexiong Zhang
  • 通讯作者：
    Kexiong Zhang
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