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High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction

High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction
采用偏振诱导隧道结的 p 侧向下结构的高亮度黄色和红色 LED
批准号:
16K17533
负责人:
Zhang Kexiong
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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The investigation of GaN-based P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
GaN基P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者: and Liwen Sang
Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric
以原子层沉积 Al2O3 作为栅极电介质的 p-GaN 金属氧化物半导体电容器的电滞现象
DOI: 10.7567/apex.9.121002
发表时间: 2016
期刊: Applied Physics Express
影响因子: 2.3
作者: [Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masataka Imura, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者: and Liwen Sang
InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas
利用极化诱导二维空穴气体的 InGaN/GaN 异质结构 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang]
通讯作者: and Liwen Sang
Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure
通过中性束蚀刻制造 InGaN/GaN 纳米柱:迈向自上而下结构的定向 Micro-LED
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang, Kexiong Zhang]
通讯作者: Kexiong Zhang
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    国内基金
    海外基金
    光储一体化自发电智能LED灯技术开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      陈晖
    • 依托单位:
    DUV-LED光场对传统米制品中关键腐败菌的杀菌机制研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      张思颉
    • 依托单位:
    高性能LED光源驱动控制器开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      刘毅
    • 依托单位:
    基于视觉大模型的多型号LED芯片全外观缺陷智能检测方法研究
    • 批准号:
      2025JJ60270
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      张航
    • 依托单位: