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Hard and brittle materials 3D ultra-precision machining using laser slicing technology
利用激光切片技术进行硬脆材料3D超精密加工
基本信息
- 批准号：16K17991
- 负责人：
- 金额：$ 1.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
レーザスライシング技術による単結晶Siの高品位高速スライス加工
使用激光切片技术对单晶硅进行高质量、高速切片
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yohei Yamada;Yohei Kaneko;Riku Aoki and Junichi Ikeno;山田洋平，金子洋平，阿部達毅，池野順一
- 通讯作者：山田洋平，金子洋平，阿部達毅，池野順一
SiCのレーザスライシング加工における剥離面形成メカニズム
SiC激光切片剥离表面形成机制
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yohei Yamada; and Junichi Ikeno;山田洋平，阿部達毅，浅原浩和，富士和則，明田正俊，池野順一;山田洋平，阿部達毅，浅原浩和，富士和則，明田正俊，池野順一
- 通讯作者：山田洋平，阿部達毅，浅原浩和，富士和則，明田正俊，池野順一
Laser Cutting Out Process for Semiconductor Substrates Applying Laser Slicing Method
采用激光切片法的半导体基板激光切割工艺
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yohei Yamada; and Junichi Ikeno
- 通讯作者：and Junichi Ikeno
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YAMADA Yohei其他文献
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利用非人灵长类动物进行肠道移植时阻断 CD40 共刺激
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
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$ 1.66万 - 项目类别：
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21J14548 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiC半導体中のSi空孔製作用の異種イオン混合サブミクロンビーム形成技術の開発
开发用于在 SiC 半导体中制造 Si 空位的混合离子亚微米束形成技术
- 批准号：
20H02673 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on Light-Emittind Devices on Si Substrates based on Semiconductor Nanowires
基于半导体纳米线的硅衬底发光器件的研究
- 批准号：
17H03223 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High-resolution terahertz semiconductor spectroscopy using quantum-cascade lasers: Spectros-copy of impurity transitions in Ge and Si
使用量子级联激光器的高分辨率太赫兹半导体光谱：Ge 和 Si 中杂质跃迁的光谱复制
- 批准号：
269855598 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Research Grants
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- 批准号：
251180114 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Research Grants
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氮化物半导体器件和传感器应用Si CMOS集成电路的晶圆级集成
- 批准号：
25420330 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation of the high efficiency solar cell spherical Si and III-V type compound semiconductor new device by using drop tube process
采用落管工艺打造高效太阳能电池球形硅及III-V型化合物半导体新器件
- 批准号：
24560912 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 1.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)