Einzel-Quantenpunkte und deren Kopplung auf der Basis von (Cd,Zn)Se/Zn(S,Se): Selbstorganisiertes Wachstum und optische Charakterisierung mittels Nanosonden Nanosonden
Einzel-Quantenpunkte und deren Kopplung auf der Basis von (Cd,Zn)Se/Zn(S,Se): Selbstorganisiertes Wachstum und optische Charakterisierung mittels Nanosonden Nanosonden
批准号:
5156592
负责人:
Professor Dr. Detlef Hommel
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2005-12-31
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英文摘要
Der vorliegende Antrag beinhaltet die epitaktische Präparation und die optische Analyse von quasi-nulldimensionalen II-VI Strukturen. Nach Studien an Einzel-Quantenpunkten sollen Systeme gekoppelter Punkte ("Moleküle") untersucht werden. Als wesentliche Voraussetzung für die optischen Experimente an Einzel-Punkten bzw. -Molekülen sollen ortsaufgelöste Nanosonden mit Abmessungen bis herab zu 50 nm mittels hochauflösender Lateralstrukturierungsmethoden definiert werden. Es sollen zwei Wege zur Präparation gekoppelter Quantenpunkte beschritten werden. Erstens soll in CdSe/ZnSe Mehrschichtsystemen die vertikale Kopplung selbstorganisierter Quantenpunkte als Funktion der Barrierendicke studiert werden. Zweitens sollen II-VI Heterostrukturen gezielt dotiert werden, so daß bei geeigneter Wahl der Dotierkonzentration und des Schichtaufbaus ("Dotier-Übergitter") der mittlere Abstand von Donatoren bzw. Akzeptoren und damit die Kopplung solcher "Coulomb-Quantenpunkte" eingestellt werden kann. Im dritten Jahr des Forschungsprojektes soll evaluiert werden, inwieweit charakteristische Eigenschaften von II-VI Quantenpunkt-Laserdioden aufgrund des dreidimensionalen Ladungsträger-Einschlusses im aktiven Bereich gegenüber herkömmlichen Quantentroglastern verbessert werden können.
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会议论文
Epitaxial Graphene Transistor EPIGRAT
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批准号:162736553
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2010
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Strong and weak coupling in ZnSe-based monolithic microcavities with lateral confinement
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批准号:63321440
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2008
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Elektrisch gepumpte Einzel-Photonenquelle auf Halbleiterbasis bei Raumtemperatur
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批准号:5447594
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Untersuchung von Verspannungsphänomenen in GaN-Schichten unter Einsatz hochauflösender Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur
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批准号:5307350
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2004
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Growth and characterization of short-wavelength surface emitting lasers based on GaN
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批准号:5403258
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Nitride-based, nanostructured, light-emitting devices
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批准号:5403294
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE
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批准号:5172124
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat
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批准号:5373010
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1997
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负责人:Professor Dr. Detlef Hommel
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依托单位:
海外基金