Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE

使用 MOVPE 和 MBE 外延生长 III 族氮化物 LED 和激光二极管

• 批准号: 5172124
• 负责人: Professor Dr. Detlef Hommel
• 金额: --
• 依托单位: Wroclawskie Centrum Badan EIT+ Sp. z o.o.
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5172124?language=en
• 关键词: Epitaktisches; Wachstum; von; LEDs; und

Mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie sollen lichtemittierende Strukturen auf der Basis von GaN, InGaN und AlGaN hergestellt und umfassend physikalisch untersucht werden. Durch die Korrelation von Wachstumsparametern mit den elektrischen, strukturellen und optischen Eigenschaften der Schichten sollen Wachstumsprozesse besser verstanden und für eine Optimierung der Betriebsparameter der Bauelemente ausgenutzt werden. Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden, um im Anschluß Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. Durch Vergleiche des Wachstums von MOVPE und Molekularstrahlepitaxie sollen Erkenntnisse zum Einfluß der Polarität und damit der piezoelektrischen Felder in Quantentrogstrukturen auf die Funktion der Bauelemente gewonnen werden. Für eine erfolgreiche Realisierung der Laserdioden ist eine sorgfältige Optimierung des p-seitigen Kontaktes erforderlich. Hierfür sollen auch die Vorteile der MBE wie eine effektive p-Dotierung ohne nachträgliche Ladungsträgeraktivierung gezielt genutzt werden.

Mittels 金属有机相外延结构是基于 GaN、InGaN 和 AlGaN 的基础，并且是基于该技术的物理研究。与 Wachstumsparametern 相关的电气、结构和优化特性使 Wachstumsprozesse 得到更好的理解和优化。 Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden, um im Anschluß Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. MOVPE 的 Wachstums 和 Molekularstrahlepitaxie 解决了在 Quantentrogstrukturen 中的极性和压电效应的问题。激光二极管的实现是一种与环境相关的优化。 MBE 的所有细节都非常有效，并且非常有效。