Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE

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Mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie sollen lichtemittierende Strukturen auf der Basis von GaN, InGaN und AlGaN hergestellt und umfassend physikalisch untersucht werden. Durch die Korrelation von Wachstumsparametern mit den elektrischen, strukturellen und optischen Eigenschaften der Schichten sollen Wachstumsprozesse besser verstanden und für eine Optimierung der Betriebsparameter der Bauelemente ausgenutzt werden. Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden, um im Anschluß Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. Durch Vergleiche des Wachstums von MOVPE und Molekularstrahlepitaxie sollen Erkenntnisse zum Einfluß der Polarität und damit der piezoelektrischen Felder in Quantentrogstrukturen auf die Funktion der Bauelemente gewonnen werden. Für eine erfolgreiche Realisierung der Laserdioden ist eine sorgfältige Optimierung des p-seitigen Kontaktes erforderlich. Hierfür sollen auch die Vorteile der MBE wie eine effektive p-Dotierung ohne nachträgliche Ladungsträgeraktivierung gezielt genutzt werden.