Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE

在GaN、InGaN和AlGaN的基础上，金属有机物的阻尼相外延解决了结构上的缺陷，并使韦尔登的物理性能得到改善。通过分析Wachstums参数与Schichten sollen Wachstumsprozesse besser verstanden的电气、结构和光学特性之间的关系，并对韦尔登元件的优化参数进行优化。Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden，um im Anschluorescent Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. MOVPE和Molekularstrahlepitaxie的Wachstums Vergleiche解决了量子结构中极化的影响和对压电费尔德的影响对韦尔登元件功能的影响。Für eine erfolgreiche Realisierung der Laserdioden ist eine sorgfältige Optimierung des p-seitigen Kontaktes erforderlich. Hierfür sollen auch die Vorteile der MBE wie eine effektive p-Dotierung ohne nachträgliche Ladungsträgeraktivierung gezielt genutzt韦尔登.

Mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie sollen lichtemittierende Strukturen auf der Basis von GaN, InGaN und AlGaN hergestellt und umfassend physikalisch untersucht werden. Durch die Korrelation von Wachstumsparametern mit den elektrischen, strukturellen und optischen Eigenschaften der Schichten sollen Wachstumsprozesse besser verstanden und für eine Optimierung der Betriebsparameter der Bauelemente ausgenutzt werden. Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden, um im Anschluß Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. Durch Vergleiche des Wachstums von MOVPE und Molekularstrahlepitaxie sollen Erkenntnisse zum Einfluß der Polarität und damit der piezoelektrischen Felder in Quantentrogstrukturen auf die Funktion der Bauelemente gewonnen werden. Für eine erfolgreiche Realisierung der Laserdioden ist eine sorgfältige Optimierung des p-seitigen Kontaktes erforderlich. Hierfür sollen auch die Vorteile der MBE wie eine effektive p-Dotierung ohne nachträgliche Ladungsträgeraktivierung gezielt genutzt werden.