MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat

高度失配衬底上的 GaN 的 MBE 生长

• 批准号: 5373010
• 负责人: Professor Dr. Detlef Hommel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Werkstoffphysik und Strukturforschung der Universität (aufgelöst)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 1999-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5373010?language=en
• 关键词: MBE; Wachstum; von; GaN; auf

Ziel des Antrages ist es, das im ersten Antragszeitraum begonnene Forschungsvorhaben fortzusetzen und abzuschließen, d.h. den Wachstumsmechanismus von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat zu verstehen. Ausgehend von den in den ersten zwei Jahren erzielten Ergebnissen soll zum einen der Raum untersuchter Wachstumsparameter gezielt erweitert werden. Zum anderen wird über die Korrelation gefundener physikalischer Eigenschaften mit der Mikrostruktur der epitaktischen Schichten die Aufstellung eines Wachstumsmodells angestrebt, das insbesondere eventuelle Unterschiede in der Wachstumsdynamik zwischen der Molekularstrahlepitaxie und der metallorganischen Dampfphasenpitaxie erklären soll. Im Vergleich zum Erstantrag sollen während des Fortsetzungszeitraumes auch neue Ansätze verfolgt werden. Dazu zählen insbesondere die Untersuchung der Oberflächendiffusion beim Wachstum auf Pufferschichten und die Suche nach potentiellen Surfactants für die Epitaxie von GaN. Als Analysemethoden werden auch weiterhin die Elektronenbeugung, die atomare Kraftmikroskopie, die Transmissionselektronenmikroskopie, die Röntgendiffraktometrie und die optische Spektroskopie im Mittelpunkt stehen.

Ziel des Antrages isist es, das imersten Antragszeitraum begonnene Forschungsvorhaben fortzusetzen und abzuschließen, d.h. GaN 的 Wachstumsmechanismus 是一种完全不透明的 Substrat zu verstehen。在这两个年份中，所有的参数都将被正确地表示出来。与外延结构的物理特征和外延结构之间的相关关系是在 Wachstumsmodels angestrebt 中进行的，这是在 Wachstumsdynamik zwischen 中发生的事件的Unterschiede 分子结构和金属有机体的相态反应是这样的。 Im Vergleich zum Erstantrag sollen während des Fortsetzungszeitraumes auch neue Ansätze verfolgt werden.在此过程中，我们将了解 GaN 外延表面活性剂的表面扩散。 Als Analysemethoden auch weiterhin Elektronenbeugung、dieatomare Kraftmikroskopie、die Transmissionselektronenmikroskopie、die Röntgendiffraktometrie 和 die optische Spektroskopie im Mittelpunkt stehen。