MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat

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Ziel des Antrages ist es, das im ersten Antragszeitraum begonnene Forschungsvorhaben fortzusetzen und abzuschließen, d.h. den Wachstumsmechanismus von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat zu verstehen. Ausgehend von den in den ersten zwei Jahren erzielten Ergebnissen soll zum einen der Raum untersuchter Wachstumsparameter gezielt erweitert werden. Zum anderen wird über die Korrelation gefundener physikalischer Eigenschaften mit der Mikrostruktur der epitaktischen Schichten die Aufstellung eines Wachstumsmodells angestrebt, das insbesondere eventuelle Unterschiede in der Wachstumsdynamik zwischen der Molekularstrahlepitaxie und der metallorganischen Dampfphasenpitaxie erklären soll. Im Vergleich zum Erstantrag sollen während des Fortsetzungszeitraumes auch neue Ansätze verfolgt werden. Dazu zählen insbesondere die Untersuchung der Oberflächendiffusion beim Wachstum auf Pufferschichten und die Suche nach potentiellen Surfactants für die Epitaxie von GaN. Als Analysemethoden werden auch weiterhin die Elektronenbeugung, die atomare Kraftmikroskopie, die Transmissionselektronenmikroskopie, die Röntgendiffraktometrie und die optische Spektroskopie im Mittelpunkt stehen.