MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat

Zil des Antrages ist es，das ersten Anangszeitraum egonnene Forschungsvorhaben fortzusetzen and abzuschlieüen，D.H.他说：“这是一件很难做的事。他说：“这是一件非常重要的事情。”这是一件很重要的事情，因为这件事发生了很大的变化，因为这件事发生在所有的金属组织中。我是Vergleich zum Erstantrag Sollen während des Fortsetzungszeitraume auch Neue ansätze verfolgt。Dazu zählen is beesondere die Untersusuung der Oberflächen扩散bem Wachstum auf Pufferschichten and die Suche nach Potellen Surfacellen für die Ebitaxie von GaN.ALS分析方法是这样的：在电子设备、原子、传输设备、设备和设备上进行分析。

Ziel des Antrages ist es, das im ersten Antragszeitraum begonnene Forschungsvorhaben fortzusetzen und abzuschließen, d.h. den Wachstumsmechanismus von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat zu verstehen. Ausgehend von den in den ersten zwei Jahren erzielten Ergebnissen soll zum einen der Raum untersuchter Wachstumsparameter gezielt erweitert werden. Zum anderen wird über die Korrelation gefundener physikalischer Eigenschaften mit der Mikrostruktur der epitaktischen Schichten die Aufstellung eines Wachstumsmodells angestrebt, das insbesondere eventuelle Unterschiede in der Wachstumsdynamik zwischen der Molekularstrahlepitaxie und der metallorganischen Dampfphasenpitaxie erklären soll. Im Vergleich zum Erstantrag sollen während des Fortsetzungszeitraumes auch neue Ansätze verfolgt werden. Dazu zählen insbesondere die Untersuchung der Oberflächendiffusion beim Wachstum auf Pufferschichten und die Suche nach potentiellen Surfactants für die Epitaxie von GaN. Als Analysemethoden werden auch weiterhin die Elektronenbeugung, die atomare Kraftmikroskopie, die Transmissionselektronenmikroskopie, die Röntgendiffraktometrie und die optische Spektroskopie im Mittelpunkt stehen.