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化合物半導体を用いた超高速MOSFET集積回路の研究

化合物半導体を用いた超高速MOSFET集積回路の研究
采用化合物半导体的超高速MOSFET集成电路研究
批准号：
X00090----555120
负责人：
長谷川 英機
金额：
$1.54万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00090----555120/
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化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル
  • 批准号：
    20656006
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    長谷川 英機
  • 依托单位：
    Hokkaido University
電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究
  • 批准号：
    18656089
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    長谷川 英機
  • 依托单位：
    Hokkaido University
半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究
  • 批准号：
    17656099
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    長谷川 英機
  • 依托单位：
    Hokkaido University
単電子デバイスとその高密度集積化
  • 批准号：
    08247102
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $12.93万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    長谷川 英機
  • 依托单位：
    Hokkaido University