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単電子ナノエレクトロニクスの基礎

单电子纳米电子学基础

基本信息

批准号：
07355001
负责人：
長谷川英機
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本総合研究(B)は、平成8年度発足の重点領域研究「単電子デバイスとその高密度集積化」の基礎的準備を行うものとして採用されたが、重点領域研究の発足が決定されたため、それに向けての準備として、研究テーマの検討と問題点の調査・整理を行った。活動内容として、幹事会を2回、研究会を2回開催した。幹事会では、総括班の組織と研究の運営形態、計画研究と公募研究との相互関係の検討を行った。研究会では、単電子デバイスおよびその高密度集積化に関する研究について活発な研究調査・研究討論を行った。研究会での主要な点は、以下の通りである。(1)次の4つの主要研究項目について、各研究者の研究成果や予備調査の結果の報告を受け、十分な討論を行った。(a)単電子輸送と単電子ナノ構造形成の物性論的基礎(b)ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化(c)単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチャの検討(d)単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓(2)計画研究では、目的が散漫にならないように、単電子デバイスとその高度集積化に目的を限定した具体的な研究計画の設定・発表を求め、相互に討論を行った。

This integrated research (B) focuses on the preparation and implementation of the foundation for the research on "high density integration of electronic materials" in 2008, and the preparation and implementation of the research on the development of key areas. Activities: 2 meetings, 2 seminars Executive committee, organization, research, operation, planning, research, public offering, research and interaction The research meeting will conduct research on high density aggregation of electronic materials and materials. The main points of the study will be, and the following will be. (1)The main research projects of the second four years were reviewed, the research results of each researcher were prepared, and the report of the investigation results was received and discussed. (a)(b) Control of surface and interface of single-electron structure and optimization of single-electron barrier;(c) Creation of single-electron structure and optimization of single-electron barrier;(d) Development of new technology for high-density accumulation of single-electron structure;(2) Planned research on the problem of dispersion A highly integrated approach to electronic research is to define specific research plan settings, develop and discuss with each other.