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単電子ナノエレクトロニクスの基礎

単電子ナノエレクトロニクスの基礎
单电子纳米电子学基础
批准号：
07355001
负责人：
長谷川 英機
金额：
$1.66万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1995 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07355001/
关键词：
単電子デバイス単電子トランジスタクーロンブロッケード集積回路量子現象ナノ構造トンネル現象

项目摘要

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本総合研究(B)は、平成8年度発足の重点領域研究「単電子デバイスとその高密度集積化」の基礎的準備を行うものとして採用されたが、重点領域研究の発足が決定されたため、それに向けての準備として、研究テーマの検討と問題点の調査・整理を行った。活動内容として、幹事会を2回、研究会を2回開催した。幹事会では、総括班の組織と研究の運営形態、計画研究と公募研究との相互関係の検討を行った。研究会では、単電子デバイスおよびその高密度集積化に関する研究について活発な研究調査・研究討論を行った。研究会での主要な点は、以下の通りである。(1)次の4つの主要研究項目について、各研究者の研究成果や予備調査の結果の報告を受け、十分な討論を行った。(a)単電子輸送と単電子ナノ構造形成の物性論的基礎(b)ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化(c)単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチャの検討(d)単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓(2)計画研究では、目的が散漫にならないように、単電子デバイスとその高度集積化に目的を限定した具体的な研究計画の設定・発表を求め、相互に討論を行った。
期刊论文(36)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Okada: "Novel Wire Transistor Structure with In-Plane-Gate Using Direct Schottky Contacts to 2DEG." Jpn.J.Appl.Phys.34. 1315-1319 (1995)
H.Okada：“采用直接肖特基接触 2DEG 的平面栅极新型线晶体管结构。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Eto: "Quantum Size Effect on Optical Abosorption in a Small Spherical Shell.," Phys.Rev.B51. 10119-10126 (1995)
M.Eto：“小球壳中光学吸收的量子尺寸效应”，Phys.Rev.B51。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Sakaki,: "Transport properties of two-dimensional electoron gas in AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunctions with embedded InAs quantum dots.," Appl.Phys.Lett.,. 67. 4390-4391 (1995)
H.Sakaki，：“嵌入 InAs 量子点的 AlGaAs/GaAs 选择性掺杂异质结中二维电子气体的传输特性。”Appl.Phys.Lett.，。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Kodama,: "Silicon Interlayer Based Surface Passivation of Near-Surface Quantum Wells." J.Vac.Sci.& Technol.B. 13. 1794-1800 (1995)
S.Kodama，：“基于硅夹层的近地表量子阱表面钝化。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 36 条
    化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル
    • 批准号：
      20656006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究
    • 批准号：
      18656089
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究
    • 批准号：
      17656099
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    単電子デバイスとその高密度集積化
    • 批准号：
      08247102
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
    • 资助金额：
      $12.93万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金