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化合物半導体-絶縁体界面の物性と応用に関する研究

化合物半导体-绝缘体界面物理性质及应用研究

基本信息

批准号：
60065002
负责人：
長谷川英機
金额：
$ 173.57万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至 1987
项目状态：
已结题

项目摘要

化合物反半導体集積回路においては, 集積回路の基本構成要素てある絶縁体-半導体界面の理解, 制御, 最適化がなされていない. これは, 回路の微細化・高密度集積化・高速化に向けて, 集積回路技術を今後さらに発展させる上での重大な障害となっている. 本研究は, 化合物半導体-絶縁体界面における基礎的な物性を解明し, それによって得られる学問的理解にもとづき界面物性を原子的な尺度で制御する新しい界面制御技術を確立し, 化合物半導体集積回路技術の今後の発展に寄与することを目的としている.昭和62年度は, 前年度までに確立した界面物性とその制御に関する基礎的理解にもとづき, 大規模集積回路製作に適用可能な実用界面制御技術を確立する目的で研究を進め, 次の成果を得た. (1)化学エッチ, イオンエッチング, プラズマや種々の気体雰囲気への露出, 熱アニール等のプロセス工程中に, GaAs InPの表面・界面にひき起こされる組成・構造・結合状態の変化を解明し, 界面の電気的特性との相関を明らかにするとともに, 「DIGSモデル」の妥当性と「界面制御」の有効性を示した. (2)RBS/PIXE法および極微小領域分析観察装置を用いた分析法において, 原子的な尺度における格子乱れを定量化する手法を発展させ, 極微細集積化構造に対するプロセス評価技術として確立した. (3)表面・界面におけるキャリアの捕獲・放出, 再結合, フォトルミネセンスを, 理論的および実験的に解明した. (4)種々の界面制御層をもつ絶縁膜を用いIPMISFETを製作し, 界面制御の有効性を実証するとともに, 耐熱セルフアラインゲート化により, 大規模集積化への見通しを得た. (5)GaAs MESFETのサイドゲート現象を検討し, その構造を解明し, かつ, 界面制御の有効性を示した. (6)「統一DIGSモデル」が化合物半導体の半導体-半導体界面や非晶質シリコンの界面にも適用可能であるこはを示した.

The compound anti-hemispheric body assembles the loop circuit, the basic elements of the loop, the body-body interface, the understanding, control, and optimization. Loops, miniaturized, high-density, high-speed, high In this study, the understanding of the physical properties of the compound semi-solid-matrix interface, the understanding of the physical properties of the interface, the scale of the atoms, the establishment of the new interface control technology, the compound semi-solid assembly loop technology will be sent to the future. In the year of Zhaohe 62, in the previous year, we established the understanding of the physical properties of the interface. The loop of the large-scale module set was used for the use of the interface control technology to ensure that the purpose of the research was improved, and the secondary results were successful. (1) in chemical engineering, chemical engineering and so on. DIGStimularity, appropriateness, interface control, and sexuality are important. (2) the RBS/PIXE method is very useful in the detection of micro-field analysis devices, atomic scale analysis, lattice chaos, quantitative analysis, and micro-analysis. (3) the interface between the surface and the surface is released, and then combined with the theoretical solution of the theory. (4) the interface system is made of IPMISFET devices, and the interface is used to control the performance of the system, which can be used to improve the performance of the system, and the large-scale model set can improve the performance of the system. (5) the GaAs MESFET system is similar to that of the user, and the interface control system has the characteristics of performance. (6) the interface of semi-solid body and half-body body of the compound, the interface of amorphous body, the interface of semi-solid body and the interface of semi-solid body and semi-solid body of the compound is shown by the possible temperature measurement.