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単電子エレクロニクスの基礎

単電子エレクロニクスの基礎
单电子电子学基础
批准号：
06352015
负责人：
長谷川 英機
金额：
$1.54万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1994 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06352015/
关键词：
単電子デバイス単電子トランジスタクーロンブロッケード集積回路量子現象ナノ構造トンネル現象

项目摘要

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本総合研究(B)の目的は、「単電子エレクトロニクス」に関する重点領域研究を申請するために、問題点の調査・整理、研究テーマと研究組織の企画・立案を行い、申請書を完成・提出する事にある。この作業は、昨年度の経験と打ち合せにもとづいて、テーマ的に直接的に関連のある総合研究(A)「クーロンブロッケードを利用したナノ・パワー超高速エレクトロニクスの研究(研究代表者:菅野卓雄(東洋大学工学部教授))」のグループと合同して行った。活動内容として、各々が最初に別々の研究会を開き、共同企画の方針を再確認した後、合同の研究会を3回、合同の幹事会を3回開催し、単電子デバイスおよびその高密度集積化に関する研究について活発な研究調査・研究討論を行うと共に、前回の企画の大幅な見直しと研究組織の改訂を行った。その主要な点は、次の通りである。(1)領域名を「単電子デバイスとその高密度集積化」とし、単電子デバイスとその高度集積化に目的を限定した研究計画と組織作りを行った。(2)主要研究項目とそこに含まれるべき分担課題を新たに決定し、そのもとに、研究代表者を含め、計画研究班の大幅な再編成を行った。総合A班(34名うち大学関係者21名)、総合B班(大学関係者14名)から、計画研究に参加者を15名に厳選した上、班員以外から、最適と考えられる9名の研究者を選定し、本研究への参加を依頼し承諾を得た。さらに、領域代表者を変更し、研究期間を4年に変更した。(3)本研究の緊急性・必要性が、よくわかるように努力した。さらに、研究活動の一環として、1995年春の応用物理学会では、総合B班と総合A班が共同で、「単電子ナノエレクトロニクスの課題と展望」のシンポジウムを開催することが決定されている。
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Hirose: "First-Principles Theory of Atom Extraction by Scanning Tunneling Microscopy" Phys.Rev.Lett.73. 150-153 (1994)
K.Hirose：“扫描隧道显微镜提取原子的第一原理理论”Phys.Rev.Lett.73。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Saitoh: "“A Novel In-situ Characterization Method of Quantum Structures by Excitation Power Dependence of Photoluminescence"" Inst.Phys.Conf.Ser.136. 795-800 (1994)
T.Saitoh：“一种通过光致发光的激发功率依赖性来表征量子结构的新方法”，Inst.Phys.Conf.Ser.136 (1994)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Tomozawa: "“Effects of Interface States on C-V Profile Characterization of Semiconductor Interface of GaAs and Related Alloys"" Control Semiconductor Interfaces,Elsevier Science. 567-572 (1994)
H. Tomozawa：“界面态对 GaAs 及相关合金半导体界面 C-V 剖面表征的影响”，控制半导体界面，Elsevier Science 567-572 (1994)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.P.Bird: "Observation of Ahranov-Bohm Oscillations in the Magnatoresistance of a GaAs/AlGaAs Quantum Dot" Jpn.J.Appl.Phys.33. 2509-2510 (1994)
J.P.Bird：“GaAs/AlGaAs 量子点磁阻中阿赫拉诺夫-玻姆振荡的观察”Jpn.J.Appl.Phys.33。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 14 条
    化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル
    • 批准号：
      20656006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究
    • 批准号：
      18656089
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究
    • 批准号：
      17656099
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    単電子デバイスとその高密度集積化
    • 批准号：
      08247102
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
    • 资助金额：
      $12.93万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      長谷川 英機
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金