歪み格子量子井戸よりなる光励起垂直入射型光増幅器の作製に関する研究
应变晶格量子阱光泵浦正入射光放大器的制作研究
基本信息
- 批准号:07750399
- 负责人:
- 金额:$ 0.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
(1)歪み量の最適化井戸層に圧縮歪みを持たせることでMQW面型光増幅器のゲインを大きくすることができる。しかしながら、大きすぎる歪みは結晶の転位を引き起こしゲインの低下につながるため、歪み量と積層数の最適化が重要である。本研究では、井戸層にInGaAs、障壁層にInGaAlAsを用いているが、井戸層に0.6%程度の圧縮歪みを持たせ障壁層で伸張歪みを持たせることで歪み補償を行うことで、欠陥のない100周期以上のMQWの積層が可能になった。信号光波長1.55μm、励起光波長1.45μmに対して、面型の1パスゲインとしては最高の2.4dBが得られた。(2)ファブリペロ-共振器(FPI)構造の導入による高利得化活性層の両側を適当な反射率を持つDBRミラーで挟むことにより、適度に広い動作波長範囲を保ちつつ高いゲインを実現できる。設計によって、ピークゲイン10dB、動作波長範囲7nmが可能であることを示した。(3)キャリヤ閉じ込めによる高利得化活性層をメサ状にエッチングし、熱処理によってpassivationすることにより、メサ周辺部での強いキャリヤ再結合が減り、メサ中央部の再結合度を増やすことができることを実験により確認した。
(1) Optimization of the distortion amount of the well-to-layer pressure reduction distortion of the MQW surface type optical amplifier.しかしながら、大きすぎる灿はcrystallized の転 Position をinduced きこしゲインIt is important to optimize the quality of the low-rise, the amount of distortion and the number of stacked layers. In this study, InGaAs for the well layer and InGaAlAs for the barrier layer were used, and the pressure shrinkage of the well layer at 0.6% was maintained. The barrier layer is stretched and crooked, and the barrier layer is stretched and crooked, and the compensation layer is compensated. The MQW stacking layer that owes more than 100 cycles is possible. The signal light wavelength is 1.55μm, the excitation light wavelength is 1.45μm, and the surface type is 1.5dB and the maximum is 2.4dB. (2) The introduction of FPI resonator (FPI) structure can achieve high yield of the active layer and ensure appropriate reflectivity. Hold つDBRミラーで挟むことにより, moderate に広いaction wavelength range 囲を宝ちつつ高いゲインを実appears できる. Designed by によって, ピークゲイン10dB, operating wavelength range 7nmがpossible であることをshowした. (3) キャリヤじ込めによるHigh yield active layer をメサ-shaped にエッチングし, heat treatment によってpassivationすることにより, メサcircular part, での强いキャリヤ, combined with が reduce り, メサcentral part The degree of recombination is confirmed by the degree of recombination.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Osamu Hanaizumi: "Observation of gain in an optically pumped surface-normal multiple-quantum-well optical amplifier" Optics Letters. 21. (1996)
Osamu Hanaizumi:“光泵浦表面法向多量子阱光放大器增益的观察”《光学快报》。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
鄭 期太: "光励起面型光増幅器の作製と評価" 電子情報通信学会技術報告(OPE). OPE95-110. 79-84 (1995)
Chita Cheng:“光泵浦表面型光放大器的制造和评估”IEICE技术报告(OPE95-110(1995)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
花泉 修其他文献
イオンマイクロビーム誘起発光分光装置の開発とこれを利用した新規シンチレータの評価
离子微束诱导发射光谱仪的研制及新型闪烁体的评价
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
加田 渉,佐藤 隆博,川端 駿介;江夏 昌志;山田 尚人;横山 彰人;神谷 富裕; 三浦 健太;花泉 修 - 通讯作者:
花泉 修
a-Si/SiO_2超格子における紫外域発光の観測
a-Si/SiO_2超晶格中紫外发射的观察
- DOI:
- 发表时间:
2006 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
加藤 裕司;種村 豪;星野 ひとみ;山外 一徳;三浦 健太;花泉 修 - 通讯作者:
花泉 修
重粒子線がん治療場でのリアルタイム計測を目的としたリン酸塩ガラス材料素子の高度化
用于重离子束癌症治疗设施中实时测量的复杂磷酸盐玻璃材料元件
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
加田 渉;佐々木 愛加;秋山 駿;中嶋 留奈;木村 成孝;飯塚 和也;長谷川 大地;赤上 友基;酒井 真理;花泉 修 - 通讯作者:
花泉 修
高被覆率窒素終端(111)ダイヤモンドの作製
高覆盖率氮封端(111)金刚石的制备
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
立石 哲也;薗田 隆弘;河合 空;山野 颯;Jorge J. Buendia;蔭浦 泰資;石井 邑;永岡 希朗;福田 諒介;谷井 孝至;春山 盛善;山田 圭介;小野田 忍;加田 渉;花泉 修;Alastair Stacey;神田 一浩;上村 雅治;寺地 徳之;磯谷 順一;河野 省三;川原田 洋 - 通讯作者:
川原田 洋
二次元ネットワークにおけるデータ同化による交通状態推定に関する研究
二维网络数据同化交通状态估计研究
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
薗田 隆弘;河合 空;山野 颯;加藤 かなみ;蔭浦 泰資;福田 諒介;岡田 拓真;春山 盛善;谷井 孝至;山田 圭介;小野田 忍;寺地 徳之;加田 渉;花泉 修;河野 省三;磯谷 順一;川原田 洋;川崎洋輔,原祐輔,桑原雅夫 - 通讯作者:
川崎洋輔,原祐輔,桑原雅夫
花泉 修的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('花泉 修', 18)}}的其他基金
Develop of RPL radiometer realizing measurement of heavy ion distribution and real time profiling
开发RPL辐射计实现重离子分布测量和实时分析
- 批准号:
21K12522 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多次元周期構造体を用いた波長選択性デバイス
使用多维周期结构的波长选择装置
- 批准号:
13026101 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
3次元サブミクロン周期構造中へ活性材料を取り入れる技術と素子応用の研究
将活性材料融入三维亚微米周期结构的技术及器件应用研究
- 批准号:
12875057 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
IIIV族活性層のバンド端近傍における複素屈折率変化の高精度測定法の研究
IIIV族活性层带边附近复折射率变化高精度测量方法研究
- 批准号:
08750347 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
キャリヤ注入型マイクロ光スイッチの作製とメカニズムの解明
载流子注入微型光开关的制作及机理阐明
- 批准号:
06750365 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
IIIVヘテロ構造のバンド端近傍における複素屈折率変化量の高感度測定法の研究
IIIV异质结构带边附近复折射率变化的高灵敏测量方法研究
- 批准号:
05750324 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
共振器型マイクロ光スイッチの作製およびその光ファイバ集積化に関する研究
谐振器型微光开关制作及其光纤集成研究
- 批准号:
04750374 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
キャリア注入に伴うIIIVヘテロ構造の複素屈折率変化のメカニズムに関する研究
IIIV异质结构载流子注入引起复折射率变化机制研究
- 批准号:
02750310 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
光立体回路技術の研究
光三维电路技术研究
- 批准号:
61790134 - 财政年份:1986
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
Time-resolved spectroscopic and microscopic measurements of multiple quantum well (MQW) on porous GaN wafer
多孔 GaN 晶圆上多量子阱 (MQW) 的时间分辨光谱和显微测量
- 批准号:
10061384 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Collaborative R&D
Piezoelectric measurement of multiple quantum well (MQW) on porous GaN wafer
多孔 GaN 晶圆上多量子阱 (MQW) 的压电测量
- 批准号:
10022629 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Collaborative R&D
Effect of AlQ in MQW on passive test structures
MQW 中的 AlQ 对无源测试结构的影响
- 批准号:
529717-2018 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Experience Awards (previously Industrial Undergraduate Student Research Awards)
A study and development on MQW strain control MEMS for wavelength tunable laser
波长可调谐激光器MQW应变控制MEMS的研究与开发
- 批准号:
20710099 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Design of advanced MQW DFB lasers
先进 MQW DFB 激光器的设计
- 批准号:
224127-1999 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Strategic Projects - Group
Design of advanced MQW DFB lasers
先进 MQW DFB 激光器的设计
- 批准号:
224127-1999 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Strategic Projects - Group
Design of advanced MQW DFB lasers
先进 MQW DFB 激光器的设计
- 批准号:
224127-1999 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Strategic Projects - Group
Investigations of advanced multiple quantum well (MQW) distributed feedback (DFB) semiconductor lasers
先进多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)半导体激光器的研究
- 批准号:
148294-1992 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Collaborative Research and Development Grants
Investigations of advanced multiple quantum well (MQW) distributed feedback (DFB) semiconductor lasers
先进多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)半导体激光器的研究
- 批准号:
148294-1992 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Collaborative Research and Development Grants
Investigation of dynamic properties of strained layer MQW semiconductor lasers; to support visit by B. Elenkrig, Inst. of Radioengineering & Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
应变层MQW半导体激光器动态特性研究;
- 批准号:
147517-1992 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
International: Foreign Researcher (H)














{{item.name}}会员




