キャリヤ注入型マイクロ光スイッチの作製とメカニズムの解明

载流子注入微型光开关的制作及机理阐明

• 批准号: 06750365
• 负责人: 花泉 修
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750365/
• 关键词: MBE; InGaAsP; InGaAs; InAlAs; MQW; キャリア注入; 屈折率変化

(1)複素屈折率変化量測定用IIIVヘテロ構造サンプルの作製現有のMBE装置で、IIIV族ヘテロ構造を作製した。λ_g=1.255μmのInGaAsPを持つサンプルはすでに保有しているので、新たにλ_g=1.3μm,1.55μmのサンプルを作製した。さらに、高効率の注入を行うために,InGaAs/InAlAs系MQWサンプルを作製した。(2)円形埋め込み構造の実現注入されたキャリヤを効率良く閉じ込めるために、円形埋め込み構造を実現した。これは、直径10-100μm程度のもので、エッチングで周囲を除去した後、現有のLPE装置を用いてInPで埋め込む。これまでの実験の結果、高効率な埋め込み構造が実現でき、キャリヤの閉じ込め効果も測定によって実証された。(3)誤差の少ない複数屈折率変化測定方法の開発光のマイクロブリッジを構成し、両光路の位相差から屈折率変化量を導くが、これまで非対称な光路であったため、波長のゆらぎが屈折率変化量の誤差となって現れていた。1/2波長板を挿入することでこの光路を対称とし、これによって測定誤差を大幅に減少させることができた。

(1) The existing MBE device manufactured by IIIV Teflon Structure Structural Equipment Co., Ltd. is used for measuring the amount of complex element refractive index change. λ_g=1.255μmいるので、新たにλ_g=1.3μm, 1.55μmのサンプルをした. High-efficiency injection molding, InGaAs/InAlAs system MQW fabrication. (2) The 円shaped buried め込み structure is injected into the されたキャリヤを efficient and closed じ込めるために, and the 円shaped buried め込み structure is を実appears した. The existing LPE equipment can be used for the existing LPE equipment after removing the silica and silica with a diameter of about 10-100 μm.これまでの実験の results, high-efficiency なbury め込み structure が実appears でき, キャリヤのclosure じ込めeffect もdetermination によって実证された. (3) The error is small and the complex refractive index change measurement method is based on the composition of the open light and the phase difference of the optical path and the refractive index The amount of change is the guide, the light path is not the same as the light path, and the wavelength is the refractive index change. The error is the error. The 1/2 wavelength plate is inserted into the optical path and the measurement error is greatly reduced.