キャリヤ注入型マイクロ光スイッチの作製とメカニズムの解明
キャリヤ注入型マイクロ光スイッチの作製とメカニズムの解明
批准号:
06750365
负责人:
花泉 修
金额:
$0.77万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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(1)複素屈折率変化量測定用IIIVヘテロ構造サンプルの作製現有のMBE装置で、IIIV族ヘテロ構造を作製した。λ_g=1.255μmのInGaAsPを持つサンプルはすでに保有しているので、新たにλ_g=1.3μm,1.55μmのサンプルを作製した。さらに、高効率の注入を行うために,InGaAs/InAlAs系MQWサンプルを作製した。(2)円形埋め込み構造の実現注入されたキャリヤを効率良く閉じ込めるために、円形埋め込み構造を実現した。これは、直径10-100μm程度のもので、エッチングで周囲を除去した後、現有のLPE装置を用いてInPで埋め込む。これまでの実験の結果、高効率な埋め込み構造が実現でき、キャリヤの閉じ込め効果も測定によって実証された。(3)誤差の少ない複数屈折率変化測定方法の開発光のマイクロブリッジを構成し、両光路の位相差から屈折率変化量を導くが、これまで非対称な光路であったため、波長のゆらぎが屈折率変化量の誤差となって現れていた。1/2波長板を挿入することでこの光路を対称とし、これによって測定誤差を大幅に減少させることができた。
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Develop of RPL radiometer realizing measurement of heavy ion distribution and real time profiling
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批准号:21K12522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2021
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负责人:花泉 修
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依托单位:
多次元周期構造体を用いた波長選択性デバイス
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批准号:13026101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.47万
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财政年份:2001
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负责人:花泉 修
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依托单位:
3次元サブミクロン周期構造中へ活性材料を取り入れる技術と素子応用の研究
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批准号:12875057
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:花泉 修
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依托单位:
IIIV族活性層のバンド端近傍における複素屈折率変化の高精度測定法の研究
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批准号:08750347
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:花泉 修
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依托单位:
歪み格子量子井戸よりなる光励起垂直入射型光増幅器の作製に関する研究
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批准号:07750399
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1995
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负责人:花泉 修
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依托单位:
IIIVヘテロ構造のバンド端近傍における複素屈折率変化量の高感度測定法の研究
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批准号:05750324
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:花泉 修
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依托单位:
共振器型マイクロ光スイッチの作製およびその光ファイバ集積化に関する研究
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批准号:04750374
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1992
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负责人:花泉 修
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依托单位:
キャリア注入に伴うIIIVヘテロ構造の複素屈折率変化のメカニズムに関する研究
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批准号:02750310
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:花泉 修
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依托单位:
光立体回路技術の研究
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批准号:61790134
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.27万
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财政年份:1986
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负责人:花泉 修
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依托单位:
国内基金
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1.55微米InP基InGaAsP量子阱-InAs量子点耦合激光器研究
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批准号:61504140
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:21.0万元
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批准年份:2015
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负责人:罗帅
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依托单位:
晶格异变GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 四结太阳电池研究
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批准号:61376065
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项目类别:面上项目
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资助金额:83.0万元
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批准年份:2013
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负责人:董建荣
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依托单位:
GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
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批准号:60976015
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项目类别:面上项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2009
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负责人:王海龙
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依托单位:
基于InGaAsP双模激光器腔内自混频效应产生太赫兹波研究
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批准号:60877059
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项目类别:面上项目
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资助金额:12.0万元
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批准年份:2008
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负责人:何健
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依托单位:
直接键合单片集成GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs高效多结太阳电池研究
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批准号:60706014
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2007
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负责人:张玮
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依托单位:
InGaAsP量子阱电泵浦光子晶体WGM微腔激光器与输出光波导的集成
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批准号:60476029
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项目类别:面上项目
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资助金额:29.0万元
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批准年份:2004
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负责人:宁永强
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依托单位:
新的无杂质诱导InGaAsP-InP多量子阱混合互扩的研究
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批准号:60276013
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项目类别:面上项目
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资助金额:22.0万元
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批准年份:2002
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负责人:王永晨
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依托单位:
InGaAsP/InP高速高增益量子阱时分光子交换器件研究
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批准号:69688001
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项目类别:专项基金项目
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批准年份:1996
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负责人:张权生
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依托单位:
InGaAsP/GaAs无铝0.8um量子阱高功率激光器及列阵
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批准号:69577019
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项目类别:面上项目
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批准年份:1995
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负责人:王立军
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依托单位:
1.55umInGaAs/InGaAsP/InP多量子阱微腔碟型激光器
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批准号:69577018
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项目类别:面上项目
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资助金额:13.0万元
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批准年份:1995
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负责人:武胜利
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依托单位: