VLSI自動設計技術を応用したMEMS-CMOS混載センサシステムの協調設計技術

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本研究では、集積回路(Very Large Scale Integration: VLSI)とMEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems)センサをCMOSプロセスによる同一のチップ上に混載することで、より小型で高性能なMEMS-CMOS混載センサシステムを実現することを目指している。また、その実現のために、CMOS VLSIでの自動設計技術を応用することで、仕様から最終的なセンサシステムに至るまでの一貫した設計支援技術を構築することを研究の目的としている。通常、MEMSセンサの設計では要求仕様（分解能、レンジ、サイズ、など）に応じて熟練のMEMS設計者が設計を行う。一方で、VLSI設計においては性能や面積などの要求仕様からそれを満たす設計を自動生成する高位合成技術が実用的になってきており、本研究ではそのアイディアをMEMSセンサ自動生成に適用する。2022年度は、主にCMOSプロセス上にMEMSセンサを作製し、CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術の確立、および、与えられた要求仕様を満たすようなMEMSセンサの自動生成技術に重点を置いて研究を実施した。様々なCMOSプロセス技術において、最適な形状のMEMSセンサの形状を自動的に生成するシステムを構築し、計算機上でのシミュレーションと実際にMEMSデバイスとして作製・評価を行い、提案手法の妥当性を示すことができた。今後は、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調シミュレーション環境およびMEMSセンサの自己キャリブレーション技術の確立を目指す。