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InPのプラズマ酸化膜形成と界面の電子的性質の研究

InPのプラズマ酸化膜形成と界面の電子的性質の研究
InP等离子体氧化膜形成及界面电子特性研究
批准号：
56550014
负责人：
松波 弘之
金额：
$1.28万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-56550014/
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高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御
  • 批准号：
    09044156
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for international Scientific Research
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    松波 弘之
  • 依托单位：
    Kyoto University
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
  • 批准号：
    07217212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.02万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    松波 弘之
  • 依托单位：
    Kyoto University
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
  • 批准号：
    06228219
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    松波 弘之
  • 依托单位：
    Kyoto University
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
  • 批准号：
    05237220
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    松波 弘之
  • 依托单位：
    Kyoto University