パターン縮小可能な新しいX線露光法に関する基礎研究
パターン縮小可能な新しいX線露光法に関する基礎研究
批准号:
59550264
负责人:
松村 英樹
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 --
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会议论文
代数曲線の有理点問題の有理矩形求積公式及び有理三角形への応用
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批准号:24KJ0183
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2024
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
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批准号:11895001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1999
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
常圧触媒CVD(Cat-CVD)法
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批准号:10875069
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成
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批准号:07455148
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1995
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法による高移動度ポリ・シリコン膜の低温形成
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批准号:04650268
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
異方性フォト・レジストによるパタ-ン転写精度の向上
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批准号:03650327
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1991
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒反応を用いた新しいドライ・エッチング・クリ-ニング法の開発
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批准号:02650226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1990
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
反射型X線リソグラフィ-法によるパタ-ン縮小転写のためのX線光学系
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批准号:01651504
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1989
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法により作られるアモルファス半導体膜特性の触媒体依存性.
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批准号:63550236
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1988
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
熱触媒反応を用いた高品質絶縁膜の低温形成
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批准号:62550229
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1987
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
触媒CVD法による高品質アモルファス半導体の光学バンドギャップの制御
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批准号:61550230
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1986
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
中間状態種を用いた高性能熱 CVD アモルファス・シリコンの製作
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批准号:60550234
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
活性SiF_2ガス・グロー放電分解による高光導電性アモルファス-シリコンの製作
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批准号:57750245
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
BF_3, PF_5ガス導入による高耐熱アモルファスーシリコンのp-n制御
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批准号:X00210----575183
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
フッ素導入によるアモルファス-シリコンの高耐熱化
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批准号:X00210----475214
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1979
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负责人:松村 英樹
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依托单位:
イオン注入法によるアモルファス-シリコンの抵抗率およびp-n型の制御
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批准号:X00210----375153
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1978
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负责人:松村 英樹
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依托单位: