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BF_3, PF_5ガス導入による高耐熱アモルファスーシリコンのp-n制御

BF_3, PF_5ガス導入による高耐熱アモルファスーシリコンのp-n制御
引入BF_3和PF_5气体对高耐热非晶硅进行P-N控制
批准号:
X00210----575183
负责人:
松村 英樹
金额:
$0.51万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1980
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1980 至 --
关键词:

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代数曲線の有理点問題の有理矩形求積公式及び有理三角形への応用
  • 批准号:
    24KJ0183
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $2.41万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    松村 英樹
  • 依托单位:
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
常圧触媒CVD(Cat-CVD)法
酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成