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窒化物系ワイドギャップ半導体に於ける低加速電子線照射効果に関する研究

窒化物系ワイドギャップ半導体に於ける低加速電子線照射効果に関する研究
低加速度电子束辐照对氮化物基宽禁带半导体的影响研究
批准号:
02855067
负责人:
天野 浩
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
关键词:

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High-Power Coherent THz Source Based on GaN IMPATTs
  • 批准号:
    22H00213
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $26.46万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    天野 浩
  • 依托单位:
Growth of high-quality bulk GaN substrate by ammonothermal method
  • 批准号:
    19F19752
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.7万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    天野 浩
  • 依托单位:
nGaN nanorod-based energy-harvesting/energy-saving devices/systems
  • 批准号:
    18F18347
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.7万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    天野 浩
  • 依托单位:
無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用
  • 批准号:
    16F14366
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.77万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    天野 浩
  • 依托单位: