量子細線構造の作製と評価

量子线结构的制造和评估

基本信息

  • 批准号:
    03044094
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 6.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for international Scientific Research
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 1992
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

微傾斜(110)GaAs面上に分子線成長法でGaAsーAlGaAs超格子を成長すると量子細線状の構造が得られる。この量子細線状の構造は分子線成長中に巨大ステップが形成され、この巨大ステップ端の(111)面上と(110)面上とでAlGaAsの組成が異なることに寄因すると考えられる。この巨大ステップの形成機構を調べるため、微傾斜(110)GaAs面上に、GaAs、AlGaAs、AlAsを成長させRHEEDを用いて、ステップ形成過程を観測した。その結果、AlGaAsの場合、約600℃以上の高温では2原子層ステップが、以下の低温では巨大ステップが形成されることが分かった。一方、GaAs、AlAsの場合は温度によらず、常に2原子層ステップが形成され、巨大ステップの形成が混晶の効果であるという新しい知見が得られた。また、(110)、(100)、(111)面をもつ人為的に作製されたメサ構造のある(110)GaAs面上にAlGaAsを成長し、電子線プロ-ブ微小分析法、走査型カソ-ドルミネセンス法で調べた結果、AlGaAsの組成に面方位依存性があることが判明した。これ等の結果から、この現象を用いて量子細線構造の作製が可能であると考えられる。ベルリン工科大学にある走査型カソ-ドルミネセンス法については量子細線構造を評価するために、空間分解能を向上する必要があり、そのため装置の改造を行い、画像処理のための新しいソフトの開発を行った。この装置を用いて予備的な試料で空間分解能の向上を確認した。さらに走査型トンネル顕微鏡については、超高真空チャンバ-を用意し、表面の原子が観察できるまでに準備を整え、量子細線構造の観察が可能となった。
Molecular wire growth method on slightly inclined (110)GaAs surface enables GaAs-AlGaAs superlattice to grow quantum fine wire structures. The quantum fine wire structure is formed in the growth of molecular wires, and the composition of the AlGaAs on the (111) plane and (110) plane is different. The formation mechanism of these giant molecules was measured by using the method of micro-tilt (110)GaAs, GaAs, AlGaAs and RHEED. As a result, in the case of AlGaAs, at high temperatures above about 600 ° C, a 2-atomic-layer STATIFORM can be formed, and at low temperatures below, a huge STATIFORM can be formed. In the case of a square, GaAs, AlAs, the temperature is usually 2 atomic layers, and the formation of a large number of mixed crystals is achieved. AlGaAs growth on GaAs (110) surface, electron microanalysis method, investigation method, and plane orientation dependence of AlGaAs composition were investigated. It is possible to construct quantum fine wire structures by using the phenomenon of quantum fine wire structure. The development of quantum fine wire structure evaluation, spatial decomposition energy improvement, reconstruction of equipment, and new software for image processing is necessary for the development of quantum fine wire structure. This device uses the prepared sample to confirm the spatial resolution of the sample. For example, the detection of micro-mirrors, ultra-high vacuum micro-mirrors, surface atoms, and quantum fine wire structures is possible.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
長谷川 繁彦: "Formation of quantum well wireーlike structures by MBE growth of AlGaAs/GaAs superlattices on GaAs(110) surfaces" Journal of Crystal Growth. 111. 371-375 (1991)
Shigehiko Hasekawa:“通过在 GaAs(110) 表面上 AlGaAs/GaAs 超晶格的 MBE 生长形成量子阱线状结构”《晶体生长杂志》111. 371-375 (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
長谷川 繁彦: "Step structures during MBE growth of GaAs and AlGaAs films on vicinal GaAs(110) surfaces inclined toward (111)B" Surface Science.
Shigehiko Hasekawa:“在邻近的 GaAs(110) 表面上的 GaAs 和 AlGaAs 薄膜的 MBE 生长过程中的阶梯结构倾向于 (111)B”表面科学。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
中島 尚男: "Formation of AlGaAs quantum wireーlike structures on vicinal(110) GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Proc.2nd Int.Meeting on Advanced Processing and Characterization Technologies. 10. 76-79 (1991)
Nao Nakajima:“通过分子束外延在邻位 (110) GaAs 衬底上形成 AlGaAs 量子线状结构”Proc.2nd Int.Meeting on Advanced Process and Characterization Technologies (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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