Resonant tunneling diodes and transistors in dynamic integrated circuits with high functional density

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Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quanteneffekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehört der Resonant Tunneling Bipolar Transistor (RTBT), der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht. Diese höhere Funktionalität gestattet eine beachtliche Reduzierung der Schaltungskomplexität. Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw. Systeme bereitgestellt und auf diese Weise eine schnelle verlustarme Schaltungstechnik angestrebt. Die Leistungsfähigkeit dieser neuartigen monolithischen Schaltungstechnik wird an verschiedenen Demonstrationsschaltungen wie z.B. einem getakteten pseudodynanmischen NAND-Gatter eingehend studiert. Als potentielle Anwendungen werden schnelle signalverarbeitende Schaltungen geringer Komplexität angesehen, die in der nächsten Generation von digitalen Empfängern oder in ATM switsches bzw. buffers zum Einsatz kommen.