Resonant tunneling diodes and transistors in dynamic integrated circuits with high functional density
高功能密度动态集成电路中的谐振隧道二极管和晶体管
基本信息
- 批准号:5264224
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2000
- 资助国家:德国
- 起止时间:1999-12-31 至 2004-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quanteneffekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehört der Resonant Tunneling Bipolar Transistor (RTBT), der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht. Diese höhere Funktionalität gestattet eine beachtliche Reduzierung der Schaltungskomplexität. Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw. Systeme bereitgestellt und auf diese Weise eine schnelle verlustarme Schaltungstechnik angestrebt. Die Leistungsfähigkeit dieser neuartigen monolithischen Schaltungstechnik wird an verschiedenen Demonstrationsschaltungen wie z.B. einem getakteten pseudodynanmischen NAND-Gatter eingehend studiert. Als potentielle Anwendungen werden schnelle signalverarbeitende Schaltungen geringer Komplexität angesehen, die in der nächsten Generation von digitalen Empfängern oder in ATM switsches bzw. buffers zum Einsatz kommen.
Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quantenefekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehrt der Resonant Tunnel Bipolar Transistor(RTBT),der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht.这是一个功能齐全的海滩景观。Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw.这是一个令人担忧的科学技术体系。这种新的单片Schaltungstechnik技术将像z.B.那样提供一种新的演示。Einem获得了伪动力学NAND-Gatter的理解研究。所有潜在的韦尔登都可以在下一代数字交换机或ATM交换机中使用复杂的Schaltungen信号处理。缓冲了一个小时。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Professor Dr.-Ing. Karl Goser其他文献
Professor Dr.-Ing. Karl Goser的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Karl Goser', 18)}}的其他基金
Verlustleistungsreduktion durch integrationsgerechte Schwellwertgatter
通过集成友好的阈值门降低功耗
- 批准号:
5173816 - 财政年份:1999
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
相似国自然基金
神经细胞间的纳米连接和物质转运在老年性痴呆症中的作用
- 批准号:91132718
- 批准年份:2011
- 资助金额:80.0 万元
- 项目类别:重大研究计划
隧道超前探测的三分量光纤地震加速度检波机理与应用研究
- 批准号:51079080
- 批准年份:2010
- 资助金额:32.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes
利用基于 GaN 的谐振隧道二极管的子带间跃迁开发高速非易失性存储器
- 批准号:
17K06409 - 财政年份:2017
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Monolithic Integrated Terahertz Transceiver using Resonant Tunneling Diodes
使用谐振隧道二极管的单片集成太赫兹收发器
- 批准号:
16K14246 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Resonant tunneling diodes based on non-crystalline oxide semiconductors for micro/millimeter wave electronics
用于微/毫米波电子器件的基于非晶氧化物半导体的谐振隧道二极管
- 批准号:
16K14252 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Study for a design method of terahertz transmitters using semiconductor resonant tunneling diodes
半导体谐振隧道二极管太赫兹发射机设计方法研究
- 批准号:
16K18095 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Fabrication of GaN-based resonant tunneling diodes and investigation of their terahertz oscillation
GaN基谐振隧道二极管的制备及其太赫兹振荡的研究
- 批准号:
26420332 - 财政年份:2014
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diodes and Their Application to THz Signal Generation and Processing
负载谐振隧道二极管的有源传输线及其在太赫兹信号生成和处理中的应用
- 批准号:
20360155 - 财政年份:2008
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Sub-THz sampling AD converters using resonant tunneling diodes
使用谐振隧道二极管的亚太赫兹采样 AD 转换器
- 批准号:
18360168 - 财政年份:2006
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A study for milimeter-wave oscillation and radiation in integrations of resonant tunneling structures and fine thin-filn antennas
谐振隧道结构与精细薄膜天线集成中的毫米波振荡和辐射研究
- 批准号:
16360178 - 财政年份:2004
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ultrahigh frequency integrated circuits using resonant tunneling diodes
使用谐振隧道二极管的超高频集成电路
- 批准号:
15360187 - 财政年份:2003
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Estimation of overgrown somiconductor interfaces with buried fine metal patterns by using resonant properties of electron wave
利用电子波的谐振特性估计具有埋藏精细金属图案的过度生长的半导体界面
- 批准号:
14550327 - 财政年份:2002
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)