Von molekularen zu mesoskopischen Magneten sowie lokalisierte Spins und itinerante Elektronen

从分子到介观磁体以及局域自旋和流动电子

• 批准号: 5297504
• 负责人: Professor Dr. Peter Kopietz
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Theoretische Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5297504?language=en
• 关键词: Von; molekularen; zu; mesoskopischen; Magneten

Teilprojekt A: In diesem Teilprojekt sollen statische und dynamische Eigenschaften ein- und zweidimensionaler Spinsysteme mit lokalisierten Spins berechnet werden. Das Projekt ist durch die in der beantragten Forschergruppe gegebene Möglichkeit motiviert, daß durch gezielte Manipulation metallorganischer Substanzen die Natur, die Stärke, und die Dimensionalität von Spin-Spin-Wechselwirkungen kontrolliert werden kann. Ziel des Teilprojekts ist es, die für die Interpretation der in den Gruppen Wolf/Lang und Lang/Bruls durchgeführten Experimente notwendigen theoretischen Rechnungen zu liefern. Insbesondere sollen in diesem Teilprojekt auch die Eigenschaften endlicher Cluster mit Hilfe von numerischen Methoden berechnet werden. Teilprojekt B: Hier sollen itinerante Elektronen in reduzierten Dimensionen untersucht werden, die eine Tendenz zur Ausbildung von Ferromagnetismus zeigen oder an lokalisierte Spins mit dominanten ferromagnetischen Korrelationen gekoppelt sind. Von besonderem Interesse sind dabei der Effekt von langreichweitigen ferromagnetischen Fluktuationen, der Effekt von lokalisierten Störstellen sowie der Einfluß von Unordnung auf die elektronischen Eigenschaften.

Teilprojekt A：在这一工程中，需要解决一个具有局部旋转韦尔登的二维旋转系统的静态和动态特性.该项目是通过在beantragten Forschergruppe gegebene Möglichkeit motiviert，dazzielte操纵金属组织实质上的自然，街道，并通过自旋-自旋-Wechselenkungen控制韦尔登werden。这是一个关于Wolf/Lang和Lang/Bruls群体的解释问题的研究，它不是通过理论研究来解释的。在这个项目中，我们也可以用韦尔登来帮助特征分析。Teilprojekt B：在此，我们将讨论如何利用巡回电子设备来减少磁干扰，这是一种发展铁磁自旋或以铁磁自旋为主的自旋的趋势。Von besonderem Interesse sind dabei der Effekt von langreichweitigen ferromagnetischen Fluktuationen，der Effekt von lokalisierten Störstellen sowie der Einfluenza von Unordnung auf die elektronischen Eigenschaften.