Herstellung und Charakterisierung kristalliner Rubren- und Pentacenfilme in FET-Strukturen

FET 结构中结晶红荧烯和并五苯薄膜的制备和表征

• 批准号: 5305052
• 负责人: Professor Dr. Christof Wöll
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5305052?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; kristalliner; Rubren

In diesem Projekt soll das Wachstum ultradünner Pentacenschichten auf einkristallinen Metalloberflächen untersucht werden. Im Hinblick auf den Einsatz in einem organischen Feldeffekttransistor (OFET) wollen wir als Substrate Metalloberflächen (source und drain-Kontakte) und Isolatoroberflächen (Al2O3, SiO2) verwenden. Alternativ soll neben den klassischen anorganischen Isolatoren die Eigenschaften einer organischen Isolatorschicht aus längeren Alkanen analysiert werden. Von besonderem Interesse ist die Frage, inwieweit die Orientierung der Moleküle durch Aufbringen selbstorganisierter Schichten, (SAMs, Organothiole, Organosilane) auf die Isolator- und Metallsubstrate manipuliert werden kann. Die strukturelle Charakterisierung der Pentacenschichten soll mittels Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) erfolgen, die elektronische Struktur soll mittels Röntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS) und Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS) bestimmt werden.

在这个项目中，Wachstum ultradünner Pentacenschichten auf einkristallinen Metalloberflächen将被韦尔登使用。In Hinblick auf den Einstein in einem organischen Feldeffekttransistor（OFET）wollen wir als Substrate Metalloberflächen（source und drain-Kontakte）und Isolatoroberflächen（Al2O3，SiO2）verwenden. Alternativ soll neben den klassischen anorganischen Isolatoren die Eigenschaften einer organischen Isolatorschicht aus längeren Alkanen analysiert韦尔登.因此，可以将分子（自组装分子、有机硫醇、有机硅烷）在隔离体和金属基底上的取向进行分离。五角大楼的结构特点是既有能源电子学（LEED），又有光栅微电子学（STM），电子学结构包括伦琴吸收光谱（NEXAFS）和紫外-光电子光谱（UPS），它们都是韦尔登光谱。