DNAを用いたナノデバイスの創製と分子操作技術の開発
DNAを用いたナノデバイスの創製と分子操作技術の開発
批准号:
01J00447
负责人:
谷口 正輝
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2003
中文摘要
1.昨年度に引き続き、構造が制御されたPoly(dG)・Poly(dC)・Poly(dA)・Poly(dT)DNAのヨウ素ドーピングの効果を30nmの電極間隔を持つナノギャップを用いてI-V特性の評価を詳細に検討した。Poly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAともにヨウ素をドーピングさせることで伝導度の上昇が観測されたものの、Poly(dG)・Poly(dC)の伝導度はPoly(dA)・Poly(dT)DNAの約1000倍であった。また、ヨウ素ドーピングしたPoly(dG)・Poly(dC)DNAの電流の時間依存性を測定したところ、イオン伝導とホール伝導が全伝導に寄与していることが明らかとなった。さらに、Poly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAをRCA洗浄した酸化シリコン上に展開し、これにヨウ素ドーピングを行ったサンプルについて光電子分光測定を行った。その結果、両DNAともに窒素サイトにホールが生成され、I_3^-が形成されていることが明らかとなり、DNAにホールがドーピングされていることが確認された。2.DNA1分子の電子状態を解明するには、DNA分子のπ電子系が破壊せず電極と接続させる必要がある。そこで絶縁基板と電極がパラレルであるような平坦電極の作製を電子線リソグラフおよびクラスターイオンビームを用いて行った。電極間のギャップが100nmの平坦電極を電子線リングラフにより作製し、クラスターイオンビームで平坦化処理を行った後、原子間力顕微鏡(AFM)で観察したところ、表面平坦性が2nm以下の平坦電極が得られた。またクラスターイオンビームの平坦化において、電極のパターン形状によりスパッタ速度が異なることを発見した。3.ドーピングの実験に用いたDNAには構造に欠陥があることが、走査型トンネル顕微鏡(STM)およびAFMの観測により明らかとなった。この構造欠陥は単純な塩基対の配列に起因するものであり、塩基対のπ電子系を破壊する要因になると考えられる。そこで、生化学的手法を用いて、構造欠陥の無いPoly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAの合成を行った。両DNAの合成ともに、ワンポットで合成することに成功した。合成DNAの電気泳動の結果、Poly(dG)・Poly(dC)は300〜800塩基対、Poly(dA)・Poly(dT)は1000〜1300塩基対を持つ構造欠陥の無いDNAであることが明らかとなった。
英文摘要
1.昨年度に引き続き、構造が制御されたPoly(dG)・Poly(dC)・Poly(dA)・Poly(dT)DNAのヨウ素ドーピングの効果を30nmの電極間隔を持つナノギャップを用いてI-V特性の評価を詳細に検討した。Poly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAともにヨウ素をドーピングさせることで伝導度の上昇が観測されたものの、Poly(dG)・Poly(dC)の伝導度はPoly(dA)・Poly(dT)DNAの約1000倍であった。また、ヨウ素ドーピングしたPoly(dG)・Poly(dC)DNAの電流の時間依存性を測定したところ、イオン伝導とホール伝導が全伝導に寄与していることが明らかとなった。さらに、Poly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAをRCA洗浄した酸化シリコン上に展開し、これにヨウ素ドーピングを行ったサンプルについて光電子分光測定を行った。その結果、両DNAともに窒素サイトにホールが生成され、I_3^-が形成されていることが明らかとなり、DNAにホールがドーピングされていることが確認された。2.DNA1分子の電子状態を解明するには、DNA分子のπ電子系が破壊せず電極と接続させる必要がある。そこで絶縁基板と電極がパラレルであるような平坦電極の作製を電子線リソグラフおよびクラスターイオンビームを用いて行った。電極間のギャップが100nmの平坦電極を電子線リングラフにより作製し、クラスターイオンビームで平坦化処理を行った後、原子間力顕微鏡(AFM)で観察したところ、表面平坦性が2nm以下の平坦電極が得られた。またクラスターイオンビームの平坦化において、電極のパターン形状によりスパッタ速度が異なることを発見した。3.ドーピングの実験に用いたDNAには構造に欠陥があることが、走査型トンネル顕微鏡(STM)およびAFMの観測により明らかとなった。この構造欠陥は単純な塩基対の配列に起因するものであり、塩基対のπ電子系を破壊する要因になると考えられる。そこで、生化学的手法を用いて、構造欠陥の無いPoly(dG)・Poly(dC)、Poly(dA)・Poly(dT)DNAの合成を行った。両DNAの合成ともに、ワンポットで合成することに成功した。合成DNAの電気泳動の結果、Poly(dG)・Poly(dC)は300〜800塩基対、Poly(dA)・Poly(dT)は1000〜1300塩基対を持つ構造欠陥の無いDNAであることが明らかとなった。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Sin-ichi Tanaka: "Synthesis of long Poly(dA)Poly(dT) DNA without structural defects using enzymatic reaction"Chem. Commun.. 2330-2331 (2002)
Sin-ichi Tanaka:“利用酶促反应合成无结构缺陷的长聚(dA)聚(dT)DNA”Chem.
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masateru Taniguchi: "Electrical Properties of Poly(dA)・Poly(dT) and Poly(dG)・Poly(dC) DNA Doped with Iodine Molecule"Jap. J. Appl. Phys.. 42. L215-L216 (2003)
Masateru Taniguchi:“掺杂有碘分子的Poly(dA)·Poly(dT)和Poly(dG)·Poly(dC) DNA的电学特性”Jap. J. Phys. 42. L215-L216 (2003)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masateru Taniguchi: "Structures and properties of ethylenedioxy substituted CH-TTP"Mol. Cryst. Liq. Cryst.. 380. 169-174 (2002)
Masateru Taniguchi:“亚乙基二氧基取代的 CH-TTP 的结构和性质”Mol。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Toshikazu Nakamura: "Microscopic investigation of a new two-component organic conductor with itinerant and local hybrid spins : (CHTM-TTP)2TCNQ"J. Phys. Soc. Jpn.. 71. 2208-2215 (2002)
Toshikazu Nakamura:“具有巡回和局部混合自旋的新型双组分有机导体的微观研究:(CHTM-TTP)2TCNQ”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Development of Single-molecule Identification Using Quantum Interference
-
批准号:22H00281
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$26.79万
-
财政年份:2022
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
1分子ペプチドシークエンシング法の開発
-
批准号:26246004
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$9.73万
-
财政年份:2014
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
マイクロヒータ組込み型ゲーティングナノポアデバイスの創製
-
批准号:14F04355
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:2014
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
ハイコンダクタンス単一分子接合に向けた電極―分子界面の創製
-
批准号:20027009
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$3.07万
-
财政年份:2008
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
分子-電極接合の界面制御技術の開発
-
批准号:18041011
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.82万
-
财政年份:2006
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
分子デバイス配線法の開発
-
批准号:18710122
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$2.24万
-
财政年份:2006
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
プログラムされた分子ワイヤの合成とナノ電極による電気伝導測定
-
批准号:16710101
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$1.73万
-
财政年份:2004
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
超伝導性有機材料の分子設計と合成に関する研究
-
批准号:98J09768
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.73万
-
财政年份:1998
-
负责人:谷口 正輝
-
依托单位:
海外基金