ハイコンダクタンス単一分子接合に向けた電極―分子界面の創製
创建高电导单分子结的电极-分子界面
基本信息
- 批准号:20027009
- 负责人:
- 金额:$ 3.07万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
電極-分子カップリングは、電極と分子間の移動積分の大きさと金属の表面状態密度の増加に伴って大きくなると理論的に予測されている。本研究では、当初、この理論予測を検証するため、TTFとTSFを用いて、電極金属をAu、Ag、Cuと変えることにより、単分子コンダクタンスの金属電極存性を調べる予定であった。しかし、これら貴金属上の自己組織化膜の詳細な電子状態評価の結果、AgとCuを電極とする場合には、金属表面の酸化を抑制して分子を接合させることが困難であることが分かった。そこで、本研究では、電極-分子カップリングの電極-分子間の移動積分依存性を調べるため、ベンゼンジチオール(BDT)、アミノベンゼンチオール(ABT)、ジアミノベンゼン(DAB)の3種類の単分子コンダクタンスと単分子接合の寿命を調べた。BDT、ABT、DABの単分子コンダクタンスは、それぞれ、11mG_0、14mG_0、7mG_0(G_0:量子化コンダクタンス)であった。一方、BDT、ABT、DABの単分子接合寿命は、それぞれ、50000s、0.5s、0.2Sであった。単分子接合寿命と金単原子接合寿命から、Au-S、Au-Au、Au-NH_2結合を破断する活性化エネルギーは、それぞれ、1.6eV、1.0eV、0.7eVと見積もられた。大きな電極-分子間の移動積分を持つ結合が、強い結合であることを考えると、電極-分子のカップリングの大きさは、Au-S>Au-Au>Au-NH_2の順になると予測される。しかし、ABTとDABのHOMO-LUMOギャップが、5.60eV、6.35eVと大きく異なるため、単分子コンダクタンスの違いを電極-分子カップリングの違いにのみに帰着することが困難であった。今後は、同程度のHOMO-LUMOギャップを持つ分子系で単分子コンダクタンスと電極-分子カップリングの相関を調べる必要がある。
Electrode-molecule カップリングは, electrode and intermolecular movement integral の大きさとmetal surface state density のincrease plus に companion って大きくなると にpredicted されている. In this study, the original theoretical prediction and proof, TTF and TSF were used, the electrode metal was Au, The existence of metal electrodes such as Ag, Cu, etc. is determined by the predetermined properties of the metal electrodes.しかし, これらSelf-structured film on precious metal, detailed electronic state evaluation results, Ag and Cu electrode とすIn this case, the acidification of the metal surface is inhibited, and the bonding of molecules is difficult and difficult.そこで, this study is carried out, electrode-molecule カップリングのelectrode-molecule intermolecular movement integral dependence を Adjustment べるため, ベンゼンジチオール (BDT), ABT (ABT), ABT (DAB) )の3 types of single molecules are bonded together and the lifespan of the single molecules is adjusted. BDT, ABT, DAB molecular コンダクタンスは, それぞれ, 11mG_0, 14mG_0, 7mG_0 (G_0: quantized コンダクタンス) であった. One side, BDT, ABT, DAB's single molecular bonding life is は, それぞれ, 50000s, 0.5s, 0.2S であった. The bonding life of single molecules and the bonding life of gold atoms are broken, and the Au-S, Au-Au, and Au-NH_2 bonds are broken.するActivated エネルギーは, それぞれ, 1.6eV, 1.0eV, 0.7eV と见记もられた. Large electrode-movement integral between molecules, strong binding, strong binding, test, electrode-moleculeカップリングの大きさは、Au-S>Au-Au>Au-NH_2の顺になると Predicted される.しかし、ABTとDABのHOMO-LUMOギャップが、5.60eV、6.35eVと大きくdifferentなるため、Unit molecular コンダクタンスのviolation いをelectrode-molecule カップリングのviolation いにのみに帰与することがdifficulty であった. From now on, the same degree of HOMO-LUMO ギャップをholding molecule system で単molecule コンダクタンスとelectrode-molecule カップリングのrelated をadjusted べるnecessary がある.
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Thermodynamic stability of atomic and molecular junctions
原子和分子连接的热力学稳定性
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Williams-Harry;A. Bhaskar;G Ramakrishna;T. Goodson;III;M. Imamura;A. Mawatari;K. Nakao;H. Enozawa. T. Nishinaga. M. Ivoda;Masahiko Iyoda;伊興田正彦;M.Tsutsui;筒井真楠;M. Tsutsui
- 通讯作者:M. Tsutsui
単分子接合の応力破断機構
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- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:真島豊;他、森健彦,長谷川達生(監修);K. Yokota;田原一邦;Arihiro Tawara;M. Tsutsui;田原一邦;俵有央;M. Tsutsui;田原一邦;Arihiro Tawara;北川敏一;筒井真楠
- 通讯作者:筒井真楠
Quantitative Evaluation of Metal-Molecule-Metal Junction Stability
金属-分子-金属结稳定性的定量评估
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Williams-Harry;A. Bhaskar;G Ramakrishna;T. Goodson;III;M. Imamura;A. Mawatari;K. Nakao;H. Enozawa. T. Nishinaga. M. Ivoda;Masahiko Iyoda;伊興田正彦;M.Tsutsui
- 通讯作者:M.Tsutsui
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- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Williams-Harry;A. Bhaskar;G Ramakrishna;T. Goodson;III;M. Imamura;A. Mawatari;K. Nakao;H. Enozawa. T. Nishinaga. M. Ivoda;Masahiko Iyoda;伊興田正彦;M.Tsutsui;筒井真楠
- 通讯作者:筒井真楠
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