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ホウ素添加したGaN系紫外微小共振器の製作

硼掺杂GaN紫外微谐振器的制作

基本信息

批准号：
13750018
负责人：
本田徹
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Kogakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

ホウ素添加したGaNおよびその混晶系材料は6H-SiC基板上に格子整合をとることが可能であると予測されており,微小共振器製作上,発光層中の残留歪み低減に効果があると報告した.本年度は,BAlGaN系微小共振器の検討を行った.従来の半導体反射鏡構造を利用した微小共振器の研究開発は有機金属気相成長法によるホウ素を含む窒化物材料の結晶成長技術の研究と平行し,ガラス基板上に微小共振器形成する技術検討も行った.この点について大きな進展があったので報告する.共振器反射鏡形成には大きな屈折率差があり,かつ紫外光に対して透明である材料系が要求される.これまでに酸化物であるSiO_2,TiO_2もしくはZrO_2が用いられてきた.これらの多層膜反射鏡は少ない層数で高い反射率の実現が可能である.しかしながらこれら,誘電体薄膜上にエピタキシャル成長は困難である.そこで,ガラス基板上にGaN薄膜材料を結晶構造にこだわらず形成し,発光素子の形成を通して微小共振器形成の可能性を検討した.Cr金属電極を形成したSiO_2上に非晶質GaNを堆積させ,エレクトロルミネッセンス素子(ELDs)を製作し,300μm程度の上部電極を形成している.交流駆動により青紫の発光が目視された.また,スペクトルは紫外発光成分を有しガラス基板上にGaN系材料を堆積する手法も有効であることが確認された.この方法をBAlN高抵抗層を6H-SiCに格子整合して形成し,上部に誘電体薄膜を利用すれば,より高効率の発光デバイス形成が可能であるとの感触を得た.本研究結果より,交流駆動型新規微小共振器構造のアイデアとともにその基礎検討結果を示すことができた.この結果は,将来大面積微小共振器アレイ構造へ発展する可能性を示している.

It is possible to add ホウ element to make GaN mixed crystal system material and lattice integration on 6H-SiC substrate. It is predicted that the residual distortion in the light layer will reduce the effect of minimizing the effect of micro resonator production. This year, Research and development of BAlGaN-based micro-resonators using micro-resonators based on the structure of semiconductor mirrors Organometallic phase growth method and parallel research on the crystal growth technology of sulfide-containing sulfide materials, and microstructure on the ガラス substrate Small Resonator Formation Technology 検椂行った.Resonator Mirror Formation of large refractive index difference, ultraviolet light, transparent material system, requirements, acid compoundであるSiO_2,TiO_2もしくはZrO_2が用いられてきた.これらのmultilayer film reflectorは小ないIt is possible to achieve high reflectivity due to the number of layers, and it is difficult to grow the dielectric film on the dielectric film.である.そこで, GaN thin film material on the ガラス substrate を crystal structure にこだわらず formation し, 発光 element の formation を pass The possibility of forming a micro resonator is based on the formation of Cr metal electrode and the deposition of amorphous GaN on SiO_2.させ, エレクトロルミネッセンス子 (ELDs) are produced and 300μm-level upper electrodes are formed.る.AC 槆动により青violet の発光がocular された.また, スペクトルはUV 発光Component を有しガラス on the substrate にG The method of stacking aN-based materials is effective and is confirmed by the method of BAlN high resistance layer 6H-Si The formation of C grid integration is possible, and the utilization of the upper dielectric film is possible, and the formation of high-efficiency light source is possible. The results of this study are based on the results of this research, and the basic discussion of the structure of the new micro resonator of the AC motor type is discussed. As a result, the possibility of constructing large-area micro-resonators in the future is clear.