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III族窒化物結晶の分光計測における衝突・輻射モデルによる解析

III 族氮化物晶体光谱测量中碰撞/辐射模型的分析

基本信息

批准号：
13750278
负责人：
石谷善博
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

AlInP/GaInP/AlInPでは、7Kにおいてパルスレーザ照射後のフォトルミネッセンス(PL)強度の時間変化が非指数関数的に変化することが観測された。レート方程式による解析の結果、10^<15>cm^<-3>を越える励起電子密度では励起直後において励起子が優勢に存在し、その後密度の減少とともに急激に励起子存在割合が減少し電子正孔分離状態となると推定された。これは、励起子生成速度は電子正孔それぞれの密度の積に比例し、励起子解離速度は励起子密度に比例するため、励起子と電子の密度が同程度のときは、パルス励起後のPL発光強度の時間変化が非線形レート方程式により記述されるためと考えられた。次に、よりワイドギャップで励起子結合エネルギーの大きいAlN/GaN/AlN系量子井戸による研究を行った。バンドギャップが大きいため、AlGaNのような3元混晶では組成変調によるバンドギャップの空間分布が大きくなるためキャリアの局在効果がP系結晶にくらべて大きく、励起子の解離・生成に基づくものであるかの判断が難しい。本研究ではまず、平坦なAlNの成長することから研究を行った。6H-SiC(0001)基板上に有機金属気相成長法により結晶成長を行った。その結果、まずGaN/AlN-超格子層を基板直上に成長し、その上にAlNの成長を行うことにより、1分子層の高さをもつ幅200nm程度のステップをもち、X線(0002)回折半値幅160"、(10-12)半値幅350"程度である膜厚0.5μmのアンドープAlN結晶が得られた。この試料上にAlN/GaN/AlN-多重量子井戸を製作し時間分解PL測定を行った。この試料でもやはりPL強度の非指数関数的減衰が見られた。これは、c軸方向の閉じ込めでは、量子井戸内の内部電場のため励起子の結合エネルギーが減少したためと考えられる。このような結晶で室温においてどのような励起子効果が得られるか、室温での励起子の存在割合を増加するためにはどのような構造にするのがよいかを本研究によるキャリアダイナミクス解析手法により研究してゆく必要があると考えられる。

AlInP/GaInP/AlInP异质结，7K超导体，超导体发光二极管，超导体（PL），掺杂度高，非指数指数值的非均匀化超导体，示波器。采用正交试验法对玉米进行解算，10 ^<15>cm^以上<-3>玉米诱导起种子密度梯度玉米诱导起直链玉米诱导起种子发芽率存在差异，玉米密度梯度玉米诱导起种子发芽率存在差异，玉米诱导起种子密度梯度玉米诱导起直链玉米诱导起种子发芽率存在差异，玉米诱导起种子发芽率存在差异，玉米诱导起种子发芽率存在差异。激励激励机制、激励机制产生的速度激励机制、激励机制产生的速度激励机制、激励机制产生的速度激励机制、激励机制产生的速度激励机制等。第二次，根据申请人的申请，激励量子阱结合体的数量将大幅增加，AlN/GaN/AlN系量子阱的贷款人将进行研究。GaN纳米晶体管是一种新型的大规模晶体管，AlGaN纳米晶体管3元晶体管形成了一种新型的纳米晶体管，这种纳米晶体管的空间分布很大，因此，纳米晶体管局在判断纳米晶体管P系的晶体管形状时，鼓励原子解旋·生成基硅纳米晶体管。本研究对氮化铝、平面氮化AlN形成的氮化铝纳米晶进行了研究。6H-SiC（0001）基板上有硅金属相形成纳米晶的要求，晶化成纳米晶进行纳米晶化。超晶格GaN/AlN-超晶格基板直上外延生长，外延上AlN外延生长进行外延生长，1分子高宽比外延层200nm量级外延生长，X晶（0002）回厚半导体160”，（10-12）半厚350”量级外延生长，0.5μm外延生长AlN薄膜结晶生长得到外延生长。氮化铝材料上的氮化铝/氮化镓/氮化铝-多重量子阱Lender介导作氮化铝分解PL测定进行了表征。采购材料采购申请PL程度非指数的采购申请。借款人，c方向借款人，起子井贷方内部借款人激励子井合并借款人，借款人应当减少借款人的借款额。このような結晶で室温においてどのような励起子効果が得られるか、室温での励起子の存在割合を増加するためにはどのような構造にするのがよいかを本研究によるキャリアダイナミクス解析手法により研究してゆく必要があると考えられる。