Electron field emission in air from 5H-BN micro-cone films prepared by plasma-assisted laser CVD

等离子体辅助激光CVD制备的5H-BN微锥薄膜在空气中的电子场发射

• 批准号: 19360022
• 负责人: KOMATSU Shojiro
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360022/
• 关键词: 電子放出; レーザ; プラズマ; BN; 薄膜

The characteristics of electron field emission in sp^<3->bonded 5H-BN films prepared by laser-assisted plasma CVD wer studied. Their merits originated from mainly three factors. The first is the surface effect due to the electric dipole moment formed by the chemisorbed hydrogena and nitrogen atoms, which favors the electron field emission. The second is the effective work function inherent in the new crystal structure of the sp^<3->bonded BN polytypic forms. The third is the surface morphology made of micro-cones that favored the emission due to the geometrical enhancement of the local electric field. The combinatorial effect of these factors enabled the electron field emission evem in the air. The new structures of sp^<3->bonded BN were successfully prepared by this method and the new analytic method using a diagram for understanding the strcutural stability of polytypes was established and utilized for the fabrication of these BN films.

研究<3->了激光辅助等离子体化学气相沉积法制备的5 H-BN薄膜的场致电子发射特性。它们的优点主要来自三个因素。第一种是由于氢原子和氮原子化学吸附形成的电偶极矩产生的表面效应，有利于电子场发射。第二个是sp2键合BN多型形式的新晶体结构中固有的有效功函数<3->。第三种是由微锥构成的表面形貌，由于局部电场的几何增强而有利于发射。这些因素的综合作用使电子场发射现象在空气中得以发生。用<3->这种方法成功地制备出了新型结构的sp键BN薄膜，并建立了一种用图解法分析多型体结构稳定性的新方法，用于制备这种BN薄膜。

项目成果

次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials

激光等离子体同步气相沉积法低成本制备高密度BN薄膜用于下一代透明宽带隙半导体材料的基础研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 澤田大輔;並川峻;平垣倍弘;杉本宜昭;阿部真之;森田清三;小松正二郎;小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕;Yoshiaki Sugimoto;小松正二郎,小林一昭;小松正二郎,知京豊裕,小林一昭
• 通讯作者: 小松正二郎,知京豊裕,小林一昭

レーザー支援プラズマCVD法による導電性sp3結合性BN薄膜の作製と特性評価/Characteristics of conductive sp3-bonded BN film by the laser-assisted plasma CVD

激光辅助等离子体CVD法制备导电sp3键合BN薄膜的特性

• 发表时间: 2009
• 作者: 小林一昭;小松正二郎;中村拓也,小松正二郎,他
• 通讯作者: 中村拓也,小松正二郎,他

10H-SiC, 12H-BNの第一原理計算 First-principles study of 10H-SiC and 12H-BN

10H-SiC和12H-BN的第一性原理研究

• 发表时间: 2009
• 作者: 小林一昭;小松正二郎
• 通讯作者: 小松正二郎

レーザプラズマ・同期CVDによる機能性BN薄膜

激光等离子体/同步CVD制备功能BN薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: 小松 正二郎;佐藤 裕平;守吉 佑介;知京 豊裕;渡辺 隆行
• 通讯作者: 渡辺 隆行

電界電子放出素子とその製造方法及びこの素子を使用した電子放出方法、並びに、電界電子放出素子を使用した発光・表示デバイスとその製造方法

场电子发射装置及其制造方法、使用该装置的电子发射方法、使用该场电子发射装置及其制造方法的发光/显示装置

• 发表时间: 2010