Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor

高性能晶体管玻璃上 SiGe 应变和取向的控制

• 批准号: 19560316
• 负责人: SADOH Taizoh
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560316/
• 关键词: 電子デバイス・機器; 集積回路; ディスプレイ; シリコンゲルマニウム; 薄膜トランジスタ

本研究では、ガラス上における薄膜トランジスタの高速・高信頼性化を目的とし、ガラス上におけるSiGe結晶の高品位形成を検討した。更に、ソース/ドレイン電極をシリサイドとしたトランジスタ構造の設計を行うと共に、熱処理プロセスの工夫を行い、従来法では10V程度であったトランジスタ閾値のばらつきを、低減(ばらつき1V程度)し、高い移動度と信頼性を有するトランジスタ動作を実現した。

In this paper, we investigate the formation of SiGe crystals with high speed and high reliability. In addition, the design of the structure of the electrode is carried out, the time of heat treatment is carried out, and the operation of the electrode is realized by reducing the threshold value of the electrode to 10V, reducing the threshold value of the electrode to 1V, and increasing the mobility and reliability.

项目成果

絶縁膜上におけるSiGe成長とデバイス応用

SiGe 绝缘膜生长及器件应用

• 发表时间: 2008
• 作者: 佐道泰造;都甲薫
• 通讯作者: 都甲薫

ナノインデント法で結晶化させたSi薄膜の微細構造評価

纳米压痕法晶化硅薄膜的微观结构评价

• 发表时间: 2008
• 作者: 村田大輔;板倉賢;西田稔;佐道泰造;宮尾正信
• 通讯作者: 宮尾正信

Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature

低温下铝诱导 SiGe 结晶的 Ge 分数依赖性

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Kurosawa;Y. Tsumura;T. Sadoh;and M. Miyao
• 通讯作者: and M. Miyao

Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique

Ni对压印非晶SiGe薄膜晶化的催化作用

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Toko;H. Kanno;A. Kenjo;T. Sadoh;T. Asano;and M. Miyao
• 通讯作者: and M. Miyao

Position Controlled Solid-Phase Crystallization of SiGe by Ni-Imprint Technique

镍压印技术的 SiGe 位置控制固相结晶

• 发表时间: 2007
• 作者: T. Sadoh;K. Toko;H. Kanno;T. Asano;and M. Miyao
• 通讯作者: and M. Miyao