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Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor

Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor
高性能晶体管玻璃上 SiGe 应变和取向的控制
批准号：
19560316
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$2.91万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560316/
关键词：
電子デバイス・機器集積回路ディスプレイシリコンゲルマニウム薄膜トランジスタ

项目摘要

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本研究では、ガラス上における薄膜トランジスタの高速・高信頼性化を目的とし、ガラス上におけるSiGe結晶の高品位形成を検討した。更に、ソース/ドレイン電極をシリサイドとしたトランジスタ構造の設計を行うと共に、熱処理プロセスの工夫を行い、従来法では10V程度であったトランジスタ閾値のばらつきを、低減(ばらつき1V程度)し、高い移動度と信頼性を有するトランジスタ動作を実現した。
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会议论文
絶縁膜上におけるSiGe成長とデバイス応用
SiGe 绝缘膜生长及器件应用
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [佐道泰造, 都甲薫]
通讯作者： 都甲薫
ナノインデント法で結晶化させたSi薄膜の微細構造評価
纳米压痕法晶化硅薄膜的微观结构评价
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [村田大輔, 板倉賢, 西田稔, 佐道泰造, 宮尾正信]
通讯作者： 宮尾正信
Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature
低温下铝诱导 SiGe 结晶的 Ge 分数依赖性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao]
通讯作者： and M. Miyao
Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique
Ni对压印非晶SiGe薄膜晶化的催化作用
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao]
通讯作者： and M. Miyao
共 43 条
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
    • 批准号：
      16K14234
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
    • 批准号：
      15H03976
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
    • 批准号：
      26630133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
    • 批准号：
      23360138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.48万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金