刷新
{{item.name}}会员
Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
直接过渡型 GeSn 高性能隧道晶体管的开发
基本信息
- 批准号：16K14234
- 负责人：
- 金额：$ 2.25万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
SADOH Taizoh其他文献
SADOH Taizoh的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('SADOH Taizoh', 18)}}的其他基金
Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
绝缘体上GeSn晶体的低温生长及其在三维LSI高速晶体管中的应用
- 批准号：
15H03976 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
具有Ge直接过渡带结构的高性能隧道晶体管的研制
- 批准号：
26630133 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
用于超高速晶体管应用的绝缘体上应变Ge的高质量形成
- 批准号：
23360138 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
在玻璃上形成应变准单晶 SiGe 用于晶体管应用
- 批准号：
20560011 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor
高性能晶体管玻璃上 SiGe 应变和取向的控制
- 批准号：
19560316 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Dynamic Behavior of Radiation-induced Defects in Silicon Crystal and Its Application to Semiconductor Technology
硅晶体辐射缺陷的动态行为及其在半导体技术中的应用
- 批准号：
10650013 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
- 批准号：
23K23214 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
- 批准号：
24K08259 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
- 批准号：
24K08275 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
- 批准号：
24KJ0539 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
熔融金属中合金晶体生长的原子尺度界面科学
- 批准号：
23K26543 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
- 批准号：
24K01347 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Universal Crystal Growth Capsule and Novel Wafer Dicing Tool for In-Space Manufacturing
SBIR 第一阶段：用于太空制造的通用晶体生长舱和新型晶圆切割工具
- 批准号：
2419346 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Standard Grant
CAREER: Transport Phenomena and the Uptake of Foreign Species during Crystal Growth
职业：晶体生长过程中的传输现象和外来物质的吸收
- 批准号：
2339644 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Continuing Grant
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
- 批准号：
23K26555 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.25万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)