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Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn

Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
直接过渡型 GeSn 高性能隧道晶体管的开发
批准号：
16K14234
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$2.25万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14234/
关键词：
トランジスタ結晶成長

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Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
  • 批准号：
    15H03976
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.57万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    SADOH Taizoh
  • 依托单位：
    Kyushu University
Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
  • 批准号：
    26630133
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.41万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    SADOH Taizoh
  • 依托单位：
    Kyushu University
High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
  • 批准号：
    23360138
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.48万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    SADOH Taizoh
  • 依托单位：
    Kyushu University
Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
  • 批准号：
    20560011
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    SADOH Taizoh
  • 依托单位：
    Kyushu University
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