Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application

在玻璃上形成应变准单晶 SiGe 用于晶体管应用

• 批准号: 20560011
• 负责人: SADOH Taizoh
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560011/
• 关键词: 半導体; SiGe; ディスプレイ; 電子デバイス・機器; 集積回路; シリコンゲルマニウム; 薄膜トランジスタ

Formation techniques of strained quasi-single crystal SiGe on glass were investigated for transistor application. We have realized orientation control of SiGe on insulating substrates. Furthermore, the device fabrication process of silicide S/D transistors was developed.

研究了应变类单晶SiGe在玻璃上的形成技术，并将其应用于晶体管。我们在绝缘衬底上实现了SiGe的取向控制。进一步研究了硅化S/D晶体管的器件制备工艺。

项目成果

AlC初期過程におけるSi <0.5>Ge <0.5>薄膜の微細構造解析

AlC初始过程中Si<0.5>Ge<0.5>薄膜的微观结构分析

• 发表时间: 2011
• 作者: 犬塚純平;光原昌寿;板倉賢;西田稔;黒澤昌志;佐道泰造;宮尾正信
• 通讯作者: 宮尾正信

金属誘起反応を用いたSi <1-x>Ge x/絶縁膜(x : 0～1)の低温結晶成長

利用金属诱导反应进行 Si <1-x>Ge x/绝缘膜（x：0 至 1）的低温晶体生长

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐道泰造;黒澤昌志;川畑直之;朴鍾;都甲薫;宮尾正信
• 通讯作者: 宮尾正信

Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in Si-on-insulator microstructures by polarized microprobe Raman pectroscopy

通过偏振微探针拉曼光谱选择性映射绝缘体上硅微结构中的单轴和双轴应变

• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Letters Vol.98, No.1
• 作者: M.Kurosawa;T.Sadoh;M.Miyao
• 通讯作者: M.Miyao

Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO 2 Structures

Si层厚度对堆叠Ge/Si/SiO 2 结构固相结晶的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.3
• 作者: T.Sadoh;H.Ohta;M.Miyao
• 通讯作者: M.Miyao

Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation

通过紫外光照射在 SiN:H 应力衬里中进行非平衡脱氢，从而增强独立式硅柱的应力

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Letters Vol.95
• 作者: T.Tanaka;T.Sadoh;M.Kurosawa;M.Tanaka;M.Yamaguchi;S.Suzuki;T.Kitamura;M.Miyao
• 通讯作者: M.Miyao