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Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application

Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
在玻璃上形成应变准单晶 SiGe 用于晶体管应用
批准号：
20560011
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$3.0万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560011/
关键词：
半導体SiGeディスプレイ電子デバイス・機器集積回路シリコンゲルマニウム薄膜トランジスタ

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Formation techniques of strained quasi-single crystal SiGe on glass were investigated for transistor application. We have realized orientation control of SiGe on insulating substrates. Furthermore, the device fabrication process of silicide S/D transistors was developed.
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会议论文
AlC初期過程におけるSi <0.5>Ge <0.5>薄膜の微細構造解析
AlC初始过程中Si<0.5>Ge<0.5>薄膜的微观结构分析
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信]
通讯作者： 宮尾正信
金属誘起反応を用いたSi <1-x>Ge x/絶縁膜(x : 0～1)の低温結晶成長
利用金属诱导反应进行 Si <1-x>Ge x/绝缘膜（x：0 至 1）的低温晶体生长
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, 朴鍾, 都甲薫, 宮尾正信]
通讯作者： 宮尾正信
Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in Si-on-insulator microstructures by polarized microprobe Raman pectroscopy
通过偏振微探针拉曼光谱选择性映射绝缘体上硅微结构中的单轴和双轴应变
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Applied Physics Letters Vol.98, No.1
影响因子： --
作者： [M.Kurosawa, T.Sadoh, M.Miyao]
通讯作者： M.Miyao
Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO 2 Structures
Si层厚度对堆叠Ge/Si/SiO 2 结构固相结晶的影响
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.3
影响因子： --
作者： [T.Sadoh, H.Ohta, M.Miyao]
通讯作者： M.Miyao
共 27 条
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
    • 批准号：
      16K14234
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
    • 批准号：
      15H03976
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
    • 批准号：
      26630133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
    • 批准号：
      23360138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.48万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    国内基金
    海外基金
    Si/SiGe异质结应变的皮米精度观测表征
    SiGe/Si异质结势垒控制防护窗口可调SiGe-SCR ESD防护器件新结构研究
    • 批准号：
      52377197
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      52万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      刘静
    • 依托单位：
      西安理工大学
    高质量Ge/SiGe异质结自旋比特材料制备
    • 批准号：
      12304100
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      张结印
    • 依托单位：
      北京量子信息科学研究院
    空间极端温度环境下SiGe HBT总剂量效应机理与关键影响因素研究