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Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI

Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
绝缘体上GeSn晶体的低温生长及其在三维LSI高速晶体管中的应用
批准号：
15H03976
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$10.57万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03976/
关键词：
電子・電気材料IV族系ヘテロ半導体IV族系ヘテロ材料Ⅳ族系ヘテロ材料電気・電子材料Ⅳ族系ヘテロ半導体

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Low-Temperature Formation of Large-Grain (≧10μm) Ge at Controlled-Position on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Diffusion-Barrier Patterning
金诱导结晶结合扩散势垒图案化在绝缘体上受控位置低温形成大晶粒（≥10μm）Ge
DOI： 10.1149/2.0161603jss
发表时间： 2016
期刊： ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子： 2.2
作者： [R. Aoki, Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh]
通讯作者： and T. Sadoh
Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)
扩散势垒图案化对低温（≤300℃）金诱导结晶形成位置控制的绝缘体上Ge的影响
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Aoki, J-H Park, M. Miyao, and T. Sadoh]
通讯作者： and T. Sadoh
Thickness-Controlled Low-Temperature (~380°C) Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Poly-Ge/Insulator for High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs)
锡掺杂多晶硅/绝缘体的厚度控制低温 (~380°C) 固相结晶，实现高载流子迁移率 (~320 cm2/Vs)
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Moto, T. Sadoh, Y. Kai, R. Matsumura, and M. Miyao]
通讯作者： and M. Miyao
Seeding Effects of Sn/a-Ge Island Structures for Low-Temperature Lateral-Growth of a-GeSn on Insulator
Sn/a-Ge 岛结构对绝缘体上 a-GeSn 低温横向生长的播种效应
DOI： 10.1149/2.0241602jss
发表时间： 2015
期刊： ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子： 2.2
作者： [Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh and M. Miyao]
通讯作者： T. Sadoh and M. Miyao
共 15 条
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
    • 批准号：
      16K14234
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
    • 批准号：
      26630133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
    • 批准号：
      23360138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.48万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
    • 批准号：
      20560011
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University