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Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge

Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
具有Ge直接过渡带结构的高性能隧道晶体管的研制
批准号：
26630133
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$2.41万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630133/
关键词：
電子・電気材料半導体Si系ヘテロ材料集積回路結晶成長トランジスタ

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Low-Temperature (≦300℃) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≧10μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization
金诱导结晶在绝缘体上低温（≤300℃）形成定向控制的大晶粒（≥10μm）富Ge SiGe
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, and M. Miyao]
通讯作者： and M. Miyao
Seeding Effects of Sn/a-Ge Island Structures for Low-Temperature Lateral-Growth of a-GeSn on Insulator
Sn/a-Ge 岛结构对绝缘体上 a-GeSn 低温横向生长的播种效应
DOI： 10.1149/2.0241602jss
发表时间： 2015
期刊： ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子： 2.2
作者： [Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh and M. Miyao]
通讯作者： T. Sadoh and M. Miyao
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通过成核控制金诱导结晶在柔性衬底上控制取向的大晶粒 SiGe
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh]
通讯作者： and T. Sadoh
Low-Temperature Formation of Large-Grain (≧10μm) Ge at Controlled-Position on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Diffusion-Barrier Patterning
金诱导结晶结合扩散势垒图案化在绝缘体上受控位置低温形成大晶粒（≥10μm）Ge
DOI： 10.1149/2.0161603jss
发表时间： 2016
期刊： ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子： 2.2
作者： [R. Aoki, Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh]
通讯作者： and T. Sadoh
共 16 条
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
    • 批准号：
      16K14234
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
    • 批准号：
      15H03976
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
    • 批准号：
      23360138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.48万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
    • 批准号：
      20560011
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金