Development of LED in wavelength region required improvement of efficiency using ZnTe based materials
Development of LED in wavelength region required improvement of efficiency using ZnTe based materials
批准号:
19560318
负责人:
NISHIO Mitsuhiro
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
中文摘要
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英文摘要
ZnTeをベースとした材料系(Zn_(1-x)Mg_xTe)を用いて高効率欠損波長領域におけるLEDの性能向上を実現した。エピタキシャル成長用基板の品質向上やエピタキシャル成長膜の平坦化、高品質化が実現できた。特にド-ピング量、アニ-ル処理条件の最適化により、高キャリア密度や発光効率向上が達成できた。更に、A1濃度制御技術の開発や光取り出し構造の最適化などが果され、ダブルヘテロ構造を用いたLEDの作製により、基本特性が掌握できた。
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ZnTe based light emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through an Al oxide layer
通过 Al 氧化物层固态扩散制备 ZnTe 基发光二极管
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 48
影响因子:
--
作者:
[Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa]
通讯作者:
Hiroshi Ogawa
Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製
利用Al氧化膜通过Al热扩散法制备ZnTe-LED
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[井上祐輔, 野中直樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 伊藤博昭・田中徹・郭其新・西尾光弘]
通讯作者:
伊藤博昭・田中徹・郭其新・西尾光弘
Recent Progress in ZnTe-based green LED, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research
ZnTe基绿色LED最新进展,发光和肖特基二极管研究手册
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Hiroshi Ogawa]
通讯作者:
Hiroshi Ogawa
Fabri cation of a ZnTe light emitting diode by Al t hermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate
通过 Al 热扩散到 p-ZnMgTe 衬底上的 p-ZnTe 外延层中制造 ZnTe 发光二极管
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Journal of Materia ls Science : Materials in Electronics 20
影响因子:
--
作者:
[Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa]
通讯作者:
and Hiroshi Ogawa
Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy
分子束外延在 ZnTe 衬底上外延生长宽成分范围的 ZnMgTe
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Journal of Physics 100
影响因子:
--
作者:
[Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa]
通讯作者:
Hiroshi Ogawa
共 40 条
Development of ZnTe based heterostructure for improvement of efficiency of pure green LED
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批准号:22560299
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2010
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负责人:NISHIO Mitsuhiro
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依托单位:
Research on fundamental technologies for processing of electronic materials by synchrotron light-excited process
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批准号:16560012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2004
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负责人:NISHIO Mitsuhiro
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依托单位:
Growth and doping of ZnTe by synchrotron-radiation-excited epitaxy
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批准号:10650014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.79万
-
财政年份:1998
-
负责人:NISHIO Mitsuhiro
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依托单位:
国内基金
海外基金
登录
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光储一体化自发电智能LED灯技术开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:陈晖
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依托单位:
DUV-LED光场对传统米制品中关键腐败菌的杀菌机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:张思颉
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依托单位:
高性能LED光源驱动控制器开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘毅
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依托单位:
基于视觉大模型的多型号LED芯片全外观缺陷智能检测方法研究
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批准号:2025JJ60270
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项目类别:省市级项目
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负责人:张航
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依托单位:
适用于LED光源的光刻胶用肟脂类引发剂的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
面向 GaN 基 micro-LED/钙钛矿量子点的异质集成与缺陷调控机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
近红外LED用稀土激活金属卤化物材料的
能量传递设计以及激发态调控研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:聂静恒
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依托单位:
显示波段高效率蓝光钙钛矿LED器件研发
及其载流子动力学研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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依托单位:
Micro-LED芯片(模组)显示材料的研发及应用
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2025
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负责人:张文霞
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依托单位:
Micro-LED片上集成量子点像素光波导结
构设计与制造研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2025
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负责人:李家声
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依托单位: