Development of LED in wavelength region required improvement of efficiency using ZnTe based materials

波长区域 LED 的开发需要使用 ZnTe 基材料提高效率

• 批准号: 19560318
• 负责人: NISHIO Mitsuhiro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Saga University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560318/
• 关键词: ZnTe系材料; LED; 高効率欠損領域; 高効率欠損波長領域

ZnTeをベースとした材料系(Zn_(1-x)Mg_xTe)を用いて高効率欠損波長領域におけるLEDの性能向上を実現した。エピタキシャル成長用基板の品質向上やエピタキシャル成長膜の平坦化、高品質化が実現できた。特にド-ピング量、アニ-ル処理条件の最適化により、高キャリア密度や発光効率向上が達成できた。更に、A1濃度制御技術の開発や光取り出し構造の最適化などが果され、ダブルヘテロ構造を用いたLEDの作製により、基本特性が掌握できた。

The performance of LED can be improved by the application of ZnTe (Zn1-x) MgxTe) in the wavelength domain with high efficiency. Planarization and high quality of growth film can be realized by improving the quality of growth substrate. The optimization of special treatment conditions for high density and light efficiency is achieved. In addition, the development of A1 concentration control technology, optimization of light extraction structure, application of LED structure, basic characteristics are mastered.

项目成果

ZnTe based light emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through an Al oxide layer

通过 Al 氧化物层固态扩散制备 ZnTe 基发光二极管

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 48
• 作者: Tooru Tanaka;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;Hiroshi Ogawa
• 通讯作者: Hiroshi Ogawa

Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製

利用Al氧化膜通过Al热扩散法制备ZnTe-LED

• 发表时间: 2008
• 作者: 井上祐輔;野中直樹;斉藤勝彦;田中徹;郭其新;西尾光弘;伊藤博昭・田中徹・郭其新・西尾光弘
• 通讯作者: 伊藤博昭・田中徹・郭其新・西尾光弘

Recent Progress in ZnTe-based green LED, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research

ZnTe基绿色LED最新进展，发光和肖特基二极管研究手册

• 发表时间: 2009
• 作者: Tooru Tanaka;Mitsuhiro Nishio;Hiroshi Ogawa
• 通讯作者: Hiroshi Ogawa

Fabri cation of a ZnTe light emitting diode by Al t hermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate

通过 Al 热扩散到 p-ZnMgTe 衬底上的 p-ZnTe 外延层中制造 ZnTe 发光二极管

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Materia ls Science : Materials in Electronics 20
• 作者: Tooru Tanaka;Katsuhiko Saito;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;and Hiroshi Ogawa
• 通讯作者: and Hiroshi Ogawa

Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy

分子束外延在 ZnTe 衬底上外延生长宽成分范围的 ZnMgTe

• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of Physics 100
• 作者: Tooru Tanaka;Katsuhiko Saito;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;Hiroshi Ogawa
• 通讯作者: Hiroshi Ogawa