Development of mictamict-alloy electrode and interconnect for nanometer scale ULSI device

纳米级超大规模集成电路器件用密胺合金电极和互连线的开发

• 批准号: 19686004
• 负责人: KONDO Hiroki
• 金额: $ 17.06万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19686004/
• 关键词: アモルファス; ミクタミクト; 微結晶粒; メタルゲート; 遷移金属窒化物; 価電子帯スペクトル; 抵抗変化メモリ; MOSキャパシタ; 仕事関数; 抵抗率

本研究では超々大規模集積回路(ULSI)の更なる高性能化に向け、ミクタミクト構造(アモルファス層と微結晶粒の混合状態)を有する遷移金属(TM)-Si-Nを用いた配線・ゲート電極の開発を行った。具体的にはチタン(Ti)-Si-Nおよびハフニウム(Hf)-Si-Nの結晶構造および電気的特性について、窒素組成依存性および熱処理温度依存性を詳細に調べ、膜中における微結晶粒の形成過程および構造、それらと電気的特性との相関を明らかにした。

This study で は super 々 massive collection of integrated circuits (ULSI) の more な る high performance-based に け, ミ ク タ ミ ク ト structure (ア モ ル フ ァ ス layer と micro crystals の mixed state) を have す る migration metal (TM) - Si - N を with い た wiring, ゲ ー ト electrode の open 発 を line っ た. Specific に は チ タ ン (Ti) - Si - N お よ び ハ フ ニ ウ ム (Hf) - Si - N の crystal structure お よ び electrical characteristics of 気 に つ い て, smothering element composition dependence お よ び hot 処 Richard temperature dependency を に に べ, membrane in detail お け る formation micro crystals の お よ び structure, そ れ ら と electrical characteristics of 気 と の phase masato を Ming ら か に し た.

项目成果

Ti-Si-NおよびHf-Si-Nの抵抗率における窒素濃度および熱処理盤依存性

氮浓度和热处理板对 Ti-Si-N 和 Hf-Si-N 电阻率的依赖性

• 发表时间: 2008
• 作者: 宮本和明;ベン・アーバン;古米孝平;近藤博基;財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

Nitrogen-Content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Hf-Si-N Gate Electrodes for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

金属氧化物半导体场效应晶体管 Hf-Si-N 栅电极晶体结构和电阻率的氮含量依赖性

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.48
• 作者: K. Miyamoto;K. Furumai;B. E. Urban;H. Kondo;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima

Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes

混态 Ti-Si-N 金属氧化物半导体栅电极的热稳定性和可扩展性

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 48
• 作者: Hiroki Kondo;Kouhei Furumai;Mitsuo Sakashita;Akira Sakai;and Shigeaki Zaima
• 通讯作者: and Shigeaki Zaima

高窒素濃度Hf-Si-Nの結晶構造および抵抗率

高氮浓度Hf-Si-N的晶体结构和电阻率

• 发表时间: 2009
• 作者: 宮本和明;近藤博基;坂下満男;財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性

非晶 Ti-Si-N 和 Hf-Si-N MOS 栅电极晶体结构和电阻率的氮浓度依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 近藤博基;宮本和明;古米孝平;坂下満男;財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明