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Identification of defects degrading SiC device performance by the excess carrier lifetime mapping with micrometer resolution

通过微米分辨率的过量载流子寿命映射来识别降低 SiC 器件性能的缺陷

基本信息

批准号：
19760215
负责人：
KATO Masashi
金额：
$ 2.45万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760215/
关键词：
作成評価技術 SiC 過剰キャリアライフタイム評価欠陥 Sic

项目摘要

We have developed an excess carrier lifetime mapping system with micrometer resolution for identification of defects degrading device performance in silicon carbide. As a result, although we have obtained excess carrier lifetime maps for silicon samples, further improvement of the system has been required to obtain excess carrier lifetime maps for silicon carbide. On the other hand, by characterizing excess carrier lifetime in p-type silicon carbide with various defects concentration, we have found that carbon-related defects have impact on the excess carrier lifetime in p-type silicon carbide.

我们已经开发了一个多余的载流子寿命映射系统与微米分辨率的缺陷，降低器件性能的碳化硅识别。因此，虽然我们已经获得了硅样品的过剩载流子寿命图，但需要进一步改进该系统以获得碳化硅的过剩载流子寿命图。另一方面，通过表征不同缺陷浓度的p型碳化硅中的过剩载流子寿命，我们发现与碳相关的缺陷对p型碳化硅中的过剩载流子寿命有影响。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価

微波光电导衰减法评价p型4H-SiC外延薄膜

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
信学技報 108-34
影响因子：
0
作者：
松下由憲;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
通讯作者：
大島武

電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム

电子束辐照下 p 型 4H-SiC 外延膜热处理后的超载流子寿命

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
加藤正史;松下由憲;市村正也;畑山智亮;大島武
通讯作者：
大島武

Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method

通过微波光电导衰减法表征生长和电子辐照外延 p 型 4H-SiC 层的过剩载流子寿命

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum Vol.645-648
影响因子：
0
作者：
Yoshinori MATSUSHITA;Masashi KATO;Masaya ICHIMURA;Tomoaki HATAYAMA;Takeshi OHSHIMA
通讯作者：
Takeshi OHSHIMA

Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconduc tivity decay method

通过微波光电导衰减法表征生长和电子辐照外延 p 型 4H-SiC 层的过剩载流子寿命