Elucidation of effects of point defects on electrical properties of 4H-SiC and development of nrocesses for carrier lifetime control

阐明点缺陷对 4H-SiC 电性能的影响并开发载流子寿命控制工艺

• 批准号: 23760012
• 负责人: KATO Masashi
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760012/
• 关键词: 半導体; 結晶評価; デバイス作製プロセス; 4H-SiC; キャリアライフタイム; 深い準位; 電子線照射; 点欠陥

In this work, we introduced defects in 4H-SiC samples, and then observed deep levels and carrier lifetimes in the samples. The results show that deep levels were introduced in n-type samples by 2 MeV electron irradiation, and the deep levels would originate from carbon-antisite-vacancy related defects. Surface recombination does not significantly effect on the carrier lifetime. On the other hand, p-type samples irradiated with 160 keV electrons show deep levels from carbon-related complex defects and the deep levels possibly act as a recombination center.

在这项工作中，我们引入了 4H-SiC 样品中的缺陷，然后观察了样品中的深层能级和载流子寿命。结果表明，2 MeV电子辐照在n型样品中引入了深能级，该深能级可能源自碳反位空位相关缺陷。表面复合不会显着影响载流子寿命。另一方面，用 160 keV 电子辐照的 p 型样品显示出与碳相关的复杂缺陷的深能级，并且深能级可能充当复合中心。

项目成果

Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation

使用和不使用低能电子辐照的 p 型 4H-SiC 外延层中的超载流子寿命

• DOI: 10.1143/jjap.51.028006
• 发表时间: 2012
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Masashi Kato;Yoshinori Matsushita;Masaya;Ichimura;Tomoaki Hatayama;Takeshi Ohshima
• 通讯作者: Takeshi Ohshima

p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性

p 型 4H-SiC 深部俘获截面的温度依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: 吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
• 通讯作者: 大島武

低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

低能电子束照射下 p 型 4H-SiC 复合中心的评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
• 通讯作者: 大島武

自立4H-SiCエピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合評価

通过测量自支撑 4H-SiC 外延膜的载流子寿命来评估表面复合

• 发表时间: 2011
• 作者: 加藤正史;吉田敦史;市村正也
• 通讯作者: 市村正也

p型4H-SiC中の深い準位の捕獲断面積に関する考察

p型4H-SiC深能级俘获截面的思考

• 发表时间: 2012
• 作者: 吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
• 通讯作者: 大島武