Elucidation of effects of point defects on electrical properties of 4H-SiC and development of nrocesses for carrier lifetime control
阐明点缺陷对 4H-SiC 电性能的影响并开发载流子寿命控制工艺
基本信息
- 批准号:23760012
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this work, we introduced defects in 4H-SiC samples, and then observed deep levels and carrier lifetimes in the samples. The results show that deep levels were introduced in n-type samples by 2 MeV electron irradiation, and the deep levels would originate from carbon-antisite-vacancy related defects. Surface recombination does not significantly effect on the carrier lifetime. On the other hand, p-type samples irradiated with 160 keV electrons show deep levels from carbon-related complex defects and the deep levels possibly act as a recombination center.
在这项工作中,我们引入了4H-SiC样品中的缺陷,然后观察了样品中的深度水平和载流子寿命。结果表明:2 MeV电子辐照在n型样品中引入了深能级,深能级来源于碳对位空位相关缺陷;表面复合对载流子寿命无显著影响。另一方面,用160 keV电子辐照的p型样品显示出与碳相关的复杂缺陷的深能级,深能级可能是复合中心。
项目成果
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Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation
使用和不使用低能电子辐照的 p 型 4H-SiC 外延层中的超载流子寿命
- DOI:10.1143/jjap.51.028006
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Masashi Kato;Yoshinori Matsushita;Masaya;Ichimura;Tomoaki Hatayama;Takeshi Ohshima
- 通讯作者:Takeshi Ohshima
p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
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- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
- 通讯作者:大島武
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
- 通讯作者:大島武
自立4H-SiCエピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合評価
通过测量自支撑 4H-SiC 外延膜的载流子寿命来评估表面复合
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤正史;吉田敦史;市村正也
- 通讯作者:市村正也
p型4H-SiC中の深い準位の捕獲断面積に関する考察
p型4H-SiC深能级俘获截面的思考
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
- 通讯作者:大島武
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