Electronic Functions of Si modified with metal-organic complex

金属有机配合物修饰Si的电子功能

• 批准号: 20360314
• 负责人: SUGIMURA Hiroyuki
• 金额: $ 12.31万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360314/
• 关键词: 分子メモリー; シリコン; 金属錯体; フェロセン; 単分子膜; 自己組織化; 電気化学; 光化学

In this research, we have studied on fundamental electronic properties of Si modified with ferrocene derivatives in order to elucidate their potential as a charge storage material applicable to future memory devices. We have succeeded in preparing high quality monolayes of three types of ferrocene derivatives, that is, vinylferrocene, ethynylferrocene, ferrocenecarboxaldehyde, on Si by optimizing a molecular bonding process. This result enabled to evaluate electrochemical responses of the ferrocene monolayers themselves.

在这项研究中，我们已经研究了与二茂铁衍生物修饰的硅的基本电子性质，以阐明其作为电荷存储材料适用于未来的存储器件的潜力。通过优化分子键合过程，我们成功地制备了三种二茂铁衍生物，即乙烯基二茂铁、乙炔基二茂铁和二茂铁甲醛在Si上的高质量单分子膜。这一结果使得能够评估二茂铁单分子膜本身的电化学响应。

项目成果

ホームページ等。

主页等

Resin Elongation Phenomenon of Polystyrene Nanopillars in Nanoimprint Lithography

纳米压印光刻中聚苯乙烯纳米柱的树脂伸长现象

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys.
• 作者: K.Kuwabara;他
• 通讯作者: 他

Degrdation behavior of release layers for nanoimprint lithography formed on atomically flat Si(111) terraces

在原子级平坦的 Si(111) 平台上形成的纳米压印光刻释放层的退化行为

• 发表时间: 2010
• 期刊: J.Vac.Sci.Technol.B
• 作者: K.Kuwabara;他
• 通讯作者: 他

Reversible Potential Change of Ferrocenylthiol Monolayers Induced by Atomic Force Microscopy

原子力显微镜诱导二茂铁硫醇单分子层的可逆电势变化

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. 8
• 作者: T.Ichii;et al.
• 通讯作者: et al.

Ferrocenylthiol Monolayers Induced by Atomic Force Microscopy

原子力显微镜诱导的二茂铁硫醇单层

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.48
• 作者: T.Ichii;S.Nanjo;K.Murase;H.Sugimura
• 通讯作者: H.Sugimura