Vielteilcheneffekte in der elektronischen Struktur von Adsorbaten auf Halbleiteroberflächen

半导体表面吸附物电子结构的多体效应

• 批准号: 62174567
• 负责人: Professor Dr. Werner Hanke
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Theoretische Physik I - Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/62174567?language=en
• 关键词: Vielteilcheneffekte; der; elektronischen; Struktur; von

Adatome (z.B. Sn, Pb) auf Halbleiter (Si,Ge)-Oberflächen bieten durch Variation der Bedeckung, Temperatur und Dotierung die faszinierende Möglichkeit, elektronische Korrelationen gezielt zu beinflussen und quasi-2D Phasenübergänge (Stichwort: Mott-Übergang) zu studieren. In diesem Theorieprojekt sollen zum einen mit Hilfe von ab-initio Methoden (Dichte- Funktional-Theorie mit verschiedenen Ansätzen für das Austausch-Korrelations-Potential) die Grundzustandseigenschaften (atomare Geometrie, etc.) insbesondere auch für neue Adsorbate (Al, Ga, Sb, Bi, Ag) abgeleitet werden und experimentellen Daten (siehe Parallelantrag Schäfer/Claessen) gegenübergestellt werden.Zum anderen soll das Spektrum der elektronischen, magnetischen und phononischen Anregungen, die im Experiment untersucht werden, sowohl mit modernen ab-initio Ansätzen (Stichwort: GW Verfahren, Suszeptibilitätsrechnungen) als auch mit Methoden und Modellen der Vielteilchentheorie (Stichwort: Variationelle Cluster Methode, Hubbard-ähnliche Modelle) studiert werden. Daraus sollen insbesondere auch Voraussagen über das zu erwartende Phasendiagramm, z.B. bei gezielter Dotierung der Mott-Isolator Oberfläche (Stichwort: 2D Supraleitung) gemacht werden.

Adatome（z.B. Sn，Pb）在Halbleiter（Si，Ge）-Oberflächen中的作用是通过对FASZINIERende Möglichkeit、电子相关性和准2D Phasenübergänge（Stichwort：Mott-Übergang）的影响进行研究的。在这一理论项目中，我们用从头开始方法解决了一个基本问题（原子几何等）。insbesondere auch für neue Adsorbent（Al，Ga，Sb，Bi，Ag）吸收韦尔登和实验数据（Schäfer/Claessen）是韦尔登的杰作.在韦尔登的实验中，我们可以用现代的从头开始的方法来解决电子、磁学和声子的频谱问题（Stichwort：GW Verfahren，Suszeptibilitätsrechnungen）also uch mit Methoden und Modellen der Vielteilchentheorie（Stichwort：Variationelle Cluster Method，Hubbard-ähnliche Modelle）studiert韦尔登.因此，我们也必须考虑到这一点，即，z.B. bei gezielter Dotierung der Mott-Isolator Oberfläche（Stichwort：2D Supraleitung）gemacht韦尔登。